5112 MEMS 발진기

결과: 8
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Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 비재고 리드 타임 8 주
최소: 300
배수: 25

VDFN-6 112.44 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 105 C DSC1101
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 비재고 리드 타임 8 주
최소: 300
배수: 25

VDFN-6 112.24 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 105 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 112.44 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 105 C DSC1101
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 112.24 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 105 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Osc., Low Jitter, 112MHz, LVDS, -40-85C, 10ppm, 2.5x2.0mm, 1k reel 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 112 MHz 10 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 85 C DSC1123
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Osc., Low Jitter, 112MHz, LVDS, -40-85C, 10ppm, 2.5x2.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1

VDFN-6 112 MHz 10 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 85 C DSC1123
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 112MHz, 10PPM, 2.5-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 112 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 112MHz, 10PPM, 2.5-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1

VDFN-6 112 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1121