DSC6000B 시리즈 MEMS 발진기

결과: 680
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Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 8MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000
VLGA-4 8 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 1MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 25
VLGA-4 1 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 1MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000
VLGA-4 1 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 8MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000
VLGA-4 8 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 16MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000
VLGA-4 16 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 20MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 20 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 24 MHz 20 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 8MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000
VFLGA-4 8 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 20 C + 70 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VFLGA-4 50 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 20 C + 70 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 52.428MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000
VFLGA-4 52.428 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 20 C + 70 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 75MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VFLGA-4 75 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 20 C + 70 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 7.3728MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VFLGA-4 7.3728 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 7.3728MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VFLGA-4 7.3728 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VFLGA-4 24 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VFLGA-4 25 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 105 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 4.516MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 4.516 MHz 25 PPM 5 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 8MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 8 MHz 25 PPM 5 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 27.095MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 27.095 MHz 25 PPM 5 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 63.222MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 63.222 MHz 25 PPM 5 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 250KHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000
VLGA-4 250 kHz 25 PPM 5 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VFLGA-4 50 MHz 25 PPM 5 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 80MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VFLGA-4 80 MHz 25 PPM 5 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Osc., Ultra Low Power, LVCMOS, -20-70C, 50ppm, 3.2x2.5mm, 1k reel 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 1,000

VDFN-4 600 kHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 20 C + 70 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 80MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-4 80 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-4 12 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B