DSC6000B 시리즈 MEMS 발진기

결과: 680
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Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 13.56MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 13.56 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 20 C + 70 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 16MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 25
VLGA-4 16 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 20 C + 70 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 40KHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 40 kHz 20 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 20 C + 70 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 6.5536MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 25
VLGA-4 6.5536 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 8MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 25
VLGA-4 8 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
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VLGA-4 12 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 460.8KHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 460 kHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 1.8432MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 1.8432 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 16MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 25
VLGA-4 16 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 68.1818MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
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VLGA-4 68.1818 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 116KHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
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: 1,000

VLGA-4 116 kHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 3.2KHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
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: 1,000

VLGA-4 3.2 kHz 20 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 4KHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 4 kHz 20 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 115.2KHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
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VLGA-4 115 kHz 20 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 259.2KHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000
VLGA-4 258.2 kHz 20 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 8MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 25
VFLGA-4 8 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 20 C + 70 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 52.428MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 25
VFLGA-4 52.428 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 20 C + 70 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 40MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VFLGA-4 40 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 105 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Osc., Ultra Low Power, LVCMOS, -40-125C, 50ppm, 3.2x2.5mm, 1k reel 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-4 350 kHz 50 PPM 5 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 125 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 250KHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-4 250 kHz 25 PPM 5 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 307KHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
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VDFN-4 307 kHz 25 PPM 5 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Osc., Ultra Low Power, LVCMOS, -40-85C, 25ppm, 3.2x2.5mm, 1k reel 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
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VDFN-4 400 kHz 25 PPM 5 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 20KHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 20 kHz 20 PPM 5 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 125 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Osc., Ultra Low Power, LVCMOS, -40-85C, 50ppm, 2.5x2.0mm, 1k reel 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
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VLGA-4 10 kHz 50 PPM 5 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 32.768KHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
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: 1,000

VLGA-4 32.768 kHz 20 PPM 5 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C DSC6000B