LVCMOS, HCMOS MEMS 발진기

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SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 1.8V, 90MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 2재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

90 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 27MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 180재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

27 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 20MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 266재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

20 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 8MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 210재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 8 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 24.0MHz -40C +85C 2.5-3.3V 50ppm 29재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 24 MHz 50 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 2.25V-3.63V, 12MHz, ST, 1k pcs T&R 8 mm 788재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

12 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 20ppm, 3.3V, 16.384MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 58재고 상태
250예상 2026-06-09
최소: 1
배수: 1
: 250

16.384 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 25ppm, 3.3V, 83.333MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 207재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

83.333 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 1.8V, 33.333333MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 178재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

33.333333 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 24MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 729재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2 mm x 1.6 mm 24 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime SiT1602BI-12-33E-25.000000E
SiTime MEMS 발진기 25MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 1,859재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 50MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 419재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 50 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 25ppm, 3.3V, 24MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 249재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 24 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 8.00MHz -20C +70C 3.3V 50ppm 385재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 8 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 100MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 495재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

100 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 1.8V, 50MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 450재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

50 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 20MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 117재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

20 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 64MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 630재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

64 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 1.8V, 25MHz, ST, 1k pcs T&R 8 mm 1,128재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

25 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 33.333333MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 42재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 33.333333 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 25ppm, 3.3V, 91.5MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 238재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

91.5 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B

SiTime MEMS 발진기 227재고 상태
최소: 1
배수: 1

15 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 3.9 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 12MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 26재고 상태
250예상 2026-06-29
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 12 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 2.5V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 89재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2016, 50ppm, 3.3V, 52MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 80재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

52 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B