DSC1001 저전력 정밀 CMOS 발진기

Microchip DSC1001 저전력 정밀 CMOS 발진기는 실리콘 MEMS 기반 CMOS 발진기입니다. 이 발진기는 폭넓은 공급 전압 및 온도 범위에서 우수한 지터 및 안정성 성능을 제공합니다. 각 장치는 1~150MHz, 1.8~3.3V의 공급 전압 범위, 최대 -40ºC~105ºC의 온도 범위에서 작동합니다. DSC1001은 수정 기반 발진기에는 공통적인 사항이지만, 극히 견고하고 응력 관련 파괴에 거의 내성이 있는 완전 실리콘 공진기가 내장되어 있습니다. 첨단 시스템에 요구되는 성능과 안정성을 훼손하지 않고 수정을 사용하지 않는 설계 장치를 통해 더 높은 신뢰성 수준을 달성할 수 있습니다. 따라서 이 발진기는 응력, 충격 및 진동이 수정 진동자 기반 시스템을 손상시킬 수 있는 거친 환경, 산업 현장용 및 휴대용 애플리케이션에 이상적입니다.
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Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 75MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 448재고 상태
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CDFN-4 75 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 Oscillator Low Power -40C-85C, 25ppm 294재고 상태
최소: 1
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DFN-4 1 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 14.318MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 419재고 상태
최소: 1
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DFN-4 14.318 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 Oscillator Low Power -40C-105C 10ppm 189재고 상태
최소: 1
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DFN-4 24 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 1.6MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 5.0x3.2mm 140재고 상태
최소: 1
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CDFN-4 1.6 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 Oscillator Low Power -40C-85C 50ppm 779재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 24 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 Oscillator Low Power -40C-85C 50ppm 720재고 상태
최소: 1
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CDFN-4 25 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 7.3728MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm 93재고 상태
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CDFN-4 7.3728 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 Oscillator Low Power -40C-85C 25ppm 844재고 상태
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CDFN-4 24.576 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 133MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 701재고 상태
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CDFN-4 133 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 30MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 543재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 30 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 48MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 268재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 48 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 Oscillator Low Power -40C-105C 10ppm 220재고 상태
최소: 1
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CDFN-4 10 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 100MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 193재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 100 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 Oscillator Low Power 0C-70C 50ppm 757재고 상태
최소: 1
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CDFN-4 31.25 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 37.125MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 38재고 상태
75예상 2026-03-03
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CDFN-4 37.125 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 128MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 484재고 상태
최소: 1
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CDFN-4 128 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 40MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 7.0 x 5.0mm 458재고 상태
최소: 1
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DFN-4 40 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 418재고 상태
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DFN-4 12 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33.3333MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 7.0 x 5.0mm 83재고 상태
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DFN-4 33.3333 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 64MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 5.0x3.2mm 346재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 64 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 4MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm 772재고 상태
최소: 1
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CDFN-4 4 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 26MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm 906재고 상태
최소: 1
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CDFN-4 26 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 40MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm 295재고 상태
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CDFN-4 40 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 20MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 5.0x3.2mm 737재고 상태
최소: 1
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CDFN-4 20 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001