DSC1001 저전력 정밀 CMOS 발진기

Microchip DSC1001 저전력 정밀 CMOS 발진기는 실리콘 MEMS 기반 CMOS 발진기입니다. 이 발진기는 폭넓은 공급 전압 및 온도 범위에서 우수한 지터 및 안정성 성능을 제공합니다. 각 장치는 1~150MHz, 1.8~3.3V의 공급 전압 범위, 최대 -40ºC~105ºC의 온도 범위에서 작동합니다. DSC1001은 수정 기반 발진기에는 공통적인 사항이지만, 극히 견고하고 응력 관련 파괴에 거의 내성이 있는 완전 실리콘 공진기가 내장되어 있습니다. 첨단 시스템에 요구되는 성능과 안정성을 훼손하지 않고 수정을 사용하지 않는 설계 장치를 통해 더 높은 신뢰성 수준을 달성할 수 있습니다. 따라서 이 발진기는 응력, 충격 및 진동이 수정 진동자 기반 시스템을 손상시킬 수 있는 거친 환경, 산업 현장용 및 휴대용 애플리케이션에 이상적입니다.
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Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 406재고 상태
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CDFN-4 48 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C 772재고 상태
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CDFN-4 12 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C 489재고 상태
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CDFN-4 27 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR -40C-85C 50ppm 901재고 상태
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CDFN-4 8 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 122재고 상태
325예상 2026-03-20
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CDFN-4 64 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 214재고 상태
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CDFN-4 66 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 54재고 상태
375주문 중
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CDFN-4 66.67 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66.667MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 41재고 상태
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DFN-4 66.667 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator, Low Power 50ppm 857재고 상태
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CDFN-4 8 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 10MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 90재고 상태
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CDFN-4 10 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 125MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 80재고 상태
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CDFN-4 125 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator, Low Power 25ppm 318재고 상태
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CDFN-4 6.78 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator, Low Power 10ppm 642재고 상태
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CDFN-4 100 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 16MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 95재고 상태
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CDFN-4 16 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33.3333MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 1,000재고 상태
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CDFN-4 33.3333 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33.333MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 100재고 상태
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CDFN-4 33.333 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 25재고 상태
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CDFN-4 33 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24.576MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 362재고 상태
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CDFN-4 24.576 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 48MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 121재고 상태
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CDFN-4 48 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 143재고 상태
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CDFN-4 50 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33.3333MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 94재고 상태
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CDFN-4 33.3333 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 90MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 210재고 상태
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CDFN-4 90 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 4MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 279재고 상태
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CDFN-4 4 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 125재고 상태
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CDFN-4 12 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 230재고 상태
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CDFN-4 50 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001