DSC1001 저전력 정밀 CMOS 발진기

Microchip DSC1001 저전력 정밀 CMOS 발진기는 실리콘 MEMS 기반 CMOS 발진기입니다. 이 발진기는 폭넓은 공급 전압 및 온도 범위에서 우수한 지터 및 안정성 성능을 제공합니다. 각 장치는 1~150MHz, 1.8~3.3V의 공급 전압 범위, 최대 -40ºC~105ºC의 온도 범위에서 작동합니다. DSC1001은 수정 기반 발진기에는 공통적인 사항이지만, 극히 견고하고 응력 관련 파괴에 거의 내성이 있는 완전 실리콘 공진기가 내장되어 있습니다. 첨단 시스템에 요구되는 성능과 안정성을 훼손하지 않고 수정을 사용하지 않는 설계 장치를 통해 더 높은 신뢰성 수준을 달성할 수 있습니다. 따라서 이 발진기는 응력, 충격 및 진동이 수정 진동자 기반 시스템을 손상시킬 수 있는 거친 환경, 산업 현장용 및 휴대용 애플리케이션에 이상적입니다.
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Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C 826재고 상태
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DFN-4 4 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C 200재고 상태
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DFN-4 20 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C 294재고 상태
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DFN-4 125 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 1,200재고 상태
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DFN-4 8 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 96재고 상태
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DFN-4 16 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR -40C-85C 50ppm 661재고 상태
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DFN-4 25 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 97재고 상태
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DFN-4 49.152 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
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DFN-4 8 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
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DFN-4 16 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 400재고 상태
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DFN-4 25 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C 50재고 상태
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CDFN-4 66.6666 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
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CDFN-4 20 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
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CDFN-4 24 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
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Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR -40C-85C 25ppm 580재고 상태
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CDFN-4 8 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 32재고 상태
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CDFN-4 14.7456 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR -40C-85C 10ppm 507재고 상태
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CDFN-4 24 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR -20C-70CC 50ppm 549재고 상태
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CDFN-4 12 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C 264재고 상태
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CDFN-4 12.288 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C 209재고 상태
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CDFN-4 25 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR -40C-85C 50ppm 416재고 상태
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CDFN-4 20 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR -40C-85C 10ppm 299재고 상태
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CDFN-4 8 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 759재고 상태
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CDFN-4 14.7456 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 411재고 상태
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CDFN-4 54 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 519재고 상태
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CDFN-4 12.8 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001