DSC1001 저전력 정밀 CMOS 발진기

Microchip DSC1001 저전력 정밀 CMOS 발진기는 실리콘 MEMS 기반 CMOS 발진기입니다. 이 발진기는 폭넓은 공급 전압 및 온도 범위에서 우수한 지터 및 안정성 성능을 제공합니다. 각 장치는 1~150MHz, 1.8~3.3V의 공급 전압 범위, 최대 -40ºC~105ºC의 온도 범위에서 작동합니다. DSC1001은 수정 기반 발진기에는 공통적인 사항이지만, 극히 견고하고 응력 관련 파괴에 거의 내성이 있는 완전 실리콘 공진기가 내장되어 있습니다. 첨단 시스템에 요구되는 성능과 안정성을 훼손하지 않고 수정을 사용하지 않는 설계 장치를 통해 더 높은 신뢰성 수준을 달성할 수 있습니다. 따라서 이 발진기는 응력, 충격 및 진동이 수정 진동자 기반 시스템을 손상시킬 수 있는 거친 환경, 산업 현장용 및 휴대용 애플리케이션에 이상적입니다.
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공급 전압 - 최대
출력 형식
전류 정격
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최고 작동온도
자격
시리즈
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 44MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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100재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 44 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 125MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
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20재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 125 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 -40C - 85C 25 ppm 048.0000MHz
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957재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 48 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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48재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 12 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C
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1,000재고 상태
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

CDFN-4 4.096 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
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223재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 12.288 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator, Low Power 10ppm
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100재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 24.576 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 Clock Generator -40C-85C 25ppm
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717재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-4 96 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24.5761MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 7.0 x 5.0mm
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473재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-4 24.5761 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
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763재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 12 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33.333MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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500재고 상태
175주문 중
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 33.333 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm
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322재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 12 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33.33MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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519재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 33.33 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 1MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
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78재고 상태
125예상 2026-03-23
최소: 1
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CDFN-4 1 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 8MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm
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521재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 8 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 11.0592MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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111재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 11.0592 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 4MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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495재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 4 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 10MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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96재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 10 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
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100재고 상태
최소: 25
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DFN-4 25 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Lower Power 25ppm
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20재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 62.5 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66.6666MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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100재고 상태
최소: 1
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CDFN-4 66.6666 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 1.6MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
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786재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 1.6 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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273재고 상태
725주문 중
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 24 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 16MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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205재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 16 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 30MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
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880재고 상태
최소: 1
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CDFN-4 30 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001