DSC1003 저전력 정밀 CMOS 발진기

Microchip DSC1003 저전력 정밀 CMOS 발진기는 실리콘 MEMS 기반 CMOS 발진기입니다. 이 발진기는 폭넓은 공급 전압 및 온도 범위에서 우수한 지터 및 안정성 성능을 제공합니다. 각 장치는 1~150MHz, 1.8~3.3V의 공급 전압 범위, -40ºC~105ºC의 확장된 온도 범위에서 작동합니다. DSC1003은 DSC1001과 동일한 기능과 성능을 보유하고 있지만 출력 구동(CL< 25pf) 값이 더 큽니다. DSC1003은 수정 기반 발진기에는 공통적인 사항이지만, 극히 견고하고 응력 관련 파괴에 거의 내성이 있는 완전 실리콘 공진기가 내장되어 있습니다. 첨단 시스템에 요구되는 성능과 안정성을 훼손하지 않고 수정을 사용하지 않는 설계 장치를 통해 더 높은 신뢰성 수준을 달성할 수 있습니다. 따라서 이 발진기는 응력, 충격 및 진동이 수정 진동자 기반 시스템을 손상시킬 수 있는 거친 환경, 산업 현장용 및 휴대용 애플리케이션에 이상적입니다.
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결과: 212
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Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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CDFN-4 50 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 40MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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CDFN-4 40 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 40MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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CDFN-4 40 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 20MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
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CDFN-4 20 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 20MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
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CDFN-4 20 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
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CDFN-4 24 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
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CDFN-4 24 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
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CDFN-4 50 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
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CDFN-4 50 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
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CDFN-4 50 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
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CDFN-4 50 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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CDFN-4 12 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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CDFN-4 12 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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CDFN-4 24 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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CDFN-4 24 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24.576MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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CDFN-4 24.576 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24.567MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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CDFN-4 24.567 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24.567MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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CDFN-4 24.567 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 27.12MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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CDFN-4 27.12 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 27.12MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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CDFN-4 27.12 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33.3333MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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CDFN-4 33.3333 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33.3333MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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CDFN-4 33.3333 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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CDFN-4 25 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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CDFN-4 25 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24.5454MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
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CDFN-4 24.5454 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003