SiTime MEMS 발진기

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SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 35MHz, OE, T&R 285재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

35 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 25.0MHz -40C +85C 3.3V 25ppm 445재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 25 MHz 25 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 2.25V-3.63V, 16MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 99재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

16 MHz 25 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 25ppm, 3.3V, 29.5MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 130재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

29.5 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 2.25V-3.63V, 12MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 254재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

12 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 25ppm, 3.3V, 50MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 225재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

50 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 45MHz 3.3V 20ppm -40C +85C 197재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 45 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 33 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 19.6608MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 184재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

19.6608 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B

SiTime MEMS 발진기 50MHz 25ppm 3.3V Standby 290재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 125 C SIT8918A
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 2520, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 50MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 106재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 3.8 mA - 40 C + 125 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 2.25V-3.63V, 33.333333MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 219재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

33.333333 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 3.3V, 2.097152MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 148재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.097152 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 100MHz 2.5V 25ppm -20C +70C 91재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 25 PPM 2.25 V 2.75 V LVDS - 20 C + 70 C SiT9365
SiTime MEMS 발진기 50MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 121재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 50 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS - 20 C + 70 C SiT9365
SiTime MEMS 발진기 1.024kHz 100ppm -20C +70C 1,234재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.2 mm 1.024 kHz 75 PPM 3.5 pF 1.2 V 3.63 V LVCMOS 1.3 uA - 10 C + 70 C SiT1534
SiTime MEMS 발진기 25.0MHz -40C +85C 2.5-3.3V 25ppm 922재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 25 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 7050, 50ppm, 3.3V, 25MHz, OE, T&R 1,248재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

25 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 156.25MHz 2.5V 25ppm -20C +70C 486재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 156.25 MHz 25 PPM 2.25 V 2.75 V LVDS - 20 C + 70 C SiT9365
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 5032, 25ppm, 2.5V, 100MHz, OE, LVDS, 250 pcs T&R 12/16 mm 500재고 상태
최소: 250
배수: 250
: 250

5 mm x 3.2 mm 100 MHz 25 PPM 2.25 V 2.75 V LVDS 47 mA - 20 C + 70 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 10ppm, 3.3V, 32.002MHz, OE, T&R 827재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

7 mm x 5 mm 32 MHz 10 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 31 mA - 40 C + 85 C SiT8208

SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 2016, 25ppm, Default Dr Str, 2.25V-3.63V, 25MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 383재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

25 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL - 40 C + 125 C SIT8918B
SiTime MEMS 발진기 100MHz +/-25ppm 3.3V+/-10% -40C+85C 250재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 100 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C SIT9120

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 10ppm, 2.5V, 200MHz, OE, LVDS, T&R 105재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

200 MHz 10 PPM 2.25 V 2.75 V LVDS - 40 C + 85 C
SiTime MEMS 발진기 100MHz 3.3V -49C +125C 190재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL - 40 C + 125 C SiT8918B

SiTime MEMS 발진기 227재고 상태
최소: 1
배수: 1

15 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 3.9 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B