SiTime MEMS 발진기

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SiTime MEMS 발진기 -40 to 105C, 2520, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 12MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 146재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

12 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 4.5 mA - 40 C + 105 C SIT8918B
SiTime MEMS 발진기 26MHz 2.25V to 3.63V 40C to +125C 25 ppm 249재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 26 MHz 25 PPM 60 pF 2.5 V 3.3 V LVCMOS, LVTTL 4.8 mA - 40 C + 125 C AEC-Q100 SIT8924A
SiTime MEMS 발진기 -55 to 125C, 3225, 20ppm, Default Dr Str, 3.3V, 12MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 123재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 12 MHz 20 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 4.8 mA - 55 C + 125 C SIT8924B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 1.8V, 33.333333MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 156재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

33.333333 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 100MHz 3.3V LVDS 20ppm 132재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 100MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 244재고 상태
250예상 2026-05-13
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C SIT9121

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 10ppm, 2.5V, 100MHz, OE, LVDS, 250 pcs T&R 8 mm 191재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

100 MHz 10 PPM 2.25 V 2.75 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C

SiTime MEMS 발진기 300MHZ +/-50ppm 3.3V+/-10% -20C+70C 135재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 300 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C SIT9122

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 24MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 799재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2 mm x 1.6 mm 24 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 33.33333MHz 1.8V 50ppm -20C +70C 116재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 33.33333 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 4.1 mA - 10 C + 70 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 12MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 31재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 12 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 24MHz 2.5-3.3V 50ppm -40C +85C 317재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 24 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 33.33333MHz +/-50ppm 1.8V -40C +85C 61재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 33.33333 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 2.5V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 89재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 25MHz 2.25V-3.63V 25ppm -40C to +125C 259재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

25 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 4.8 mA - 40 C + 125 C SiT2024A
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2016, 50ppm, 3.3V, 50MHz, OE, T&R 990재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2 mm x 1.6 mm 50 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 33.333333MHz 1.8V -40C +85C 20ppm 330재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 33.333333 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 2.25V-3.63V, 52MHz, ST, 1k pcs T&R 8 mm 774재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2 mm x 1.6 mm 52 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2016, 50ppm, 3.3V, 52MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 100재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

52 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 2.4576MHz 3.3V -20C +70C 50ppm 288재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 2.4576 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2016, 50ppm, 1.8V, 6MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 225재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250
6 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 25MHz 2.5-3.3V 50ppm -20C+85C 140재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

25 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 3.3V, 48MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 287재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

48 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 50.0MHz -40C +85C 1.8V 50ppm 235재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 50 PPM 60 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 24.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 250재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

24 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B