SiTime MEMS 발진기

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SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 10ppm, 3.3V, 33.33333MHz, OE, LVPECL, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 33.33333 MHz 10 PPM 2.97 V 3.63 V LVPECL 69 mA - 40 C + 85 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 7050, 10ppm, 3.3V, 75.497472MHz, OE, LVPECL, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

7 mm x 5 mm 75.497472 MHz 10 PPM 2.97 V 3.63 V LVPECL 69 mA - 20 C + 70 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 33.333MHz, OE, 1k pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 33.333 MHz 20 PPM 15 pF 1.71 V 1.89 V LVCMOS, LVTTL 29 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 4MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 4 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 20ppm, 3.3V, 100MHz, ST, LVDS, 1k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 47 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 2.5V, 148.5MHz, OE, LVDS, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 148.5 MHz 25 PPM 2.25 V 2.75 V LVDS 47 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 2.5V, 125MHz, OE, LVDS, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 125 MHz 50 PPM 2.25 V 2.75 V LVDS 47 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 3225, 50ppm, 3.3V, 100MHz, OE, LVDS, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 55 mA - 20 C + 70 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 10ppm, 3.3V, 148.351648MHz, OE, LVDS, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 250
배수: 250
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 148.351648 MHz 10 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 47 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 25.000625MHz, OE, 3k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

2.5 mm x 2 mm 25.000625 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 5032, 20ppm, 3.3V, 100MHz, OE, LVDS, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 100 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 55 mA - 20 C + 70 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 20ppm, 3.3V, 125MHz, OE, LVDS, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

5 mm x 3.2 mm 125 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 47 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 5032, 25ppm, 2.5V, 125MHz, OE, LVDS, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

5 mm x 3.2 mm 125 MHz 25 PPM 2.25 V 3.63 V LVDS 55 mA - 20 C + 70 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 25ppm, 2.5V, 125MHz, OE, LVDS, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 125 MHz 25 PPM 2.25 V 2.75 V LVDS 47 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 25ppm, 3.3V, 100MHz, OE, LVDS, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

5 mm x 3.2 mm 100 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 47 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 25ppm, 3.3V, 100MHz, OE, LVDS, 1k pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 100 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 47 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 25ppm, 3.3V, 125MHz, OE, LVDS, 1k pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 125 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 47 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 25ppm, 3.3V, 156.25MHz, OE, LVDS, 1k pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 156.25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 47 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 25ppm, 3.3V, 200MHz, OE, LVDS, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

5 mm x 3.2 mm 200 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 47 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 25ppm, 3.3V, 200MHz, OE, LVDS, 1k pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 200 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 47 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 5032, 50ppm, 2.5V, 100MHz, OE, LVDS, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

5 mm x 3.2 mm 100 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVDS 55 mA - 20 C + 70 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 50ppm, 2.5V, 100MHz, OE, LVDS, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 100 MHz 50 PPM 2.25 V 2.75 V LVDS 47 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 5032, 50ppm, 2.5V, 125MHz, OE, LVDS, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

5 mm x 3.2 mm 125 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVDS 55 mA - 20 C + 70 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 5032, 50ppm, 2.5V, 187.5MHz, OE, LVDS, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

5 mm x 3.2 mm 187.5 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVDS 55 mA - 20 C + 70 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 50ppm, 3.3V, 100MHz, OE, LVDS, 1k pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 100 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 47 mA - 40 C + 85 C SiT9120