SiTime MEMS 발진기

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SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 4MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 4 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 50MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 50 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 24.576MHz 3.3V 50ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 24.576 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 105C, 2012, 150ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 3k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 10 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

SIT1630
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 100ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SiT1630
SiTime MEMS 발진기 -10 to 70C, 2012, 75ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 1k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SMD-4 32.768 MHz 75 PPM 50 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.3 uA - 10 C + 70 C SiT1630
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 25ppm, 2.5V, 125MHz, OE, LVPECL, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 125 MHz 25 PPM 2.25 V 2.75 V LVPECL 61 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 25ppm, 3.3V, 156.25MHz, OE, LVPECL, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

7 mm x 5 mm 156.25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVPECL 61 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 7050, 50ppm, 2.5V, 102.4MHz, OE, LVPECL, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

7 mm x 5 mm 102.4 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVPECL 69 mA - 20 C + 70 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 7050, 50ppm, 2.5V, 123.52MHz, OE, LVPECL, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

7 mm x 5 mm 123.52 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVPECL 69 mA - 20 C + 70 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 7050, 50ppm, 2.5V, 148.3516MHz, OE, LVPECL, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

7 mm x 5 mm 148.3516 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVPECL 69 mA - 20 C + 70 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 7050, 50ppm, 3.3V, 125MHz, OE, LVPECL, 3k pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

7 mm x 5 mm 125 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVPECL 69 mA - 20 C + 70 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 7050, 50ppm, 3.3V, 125MHz, OE, LVPECL, 1k pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

7 mm x 5 mm 125 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVPECL 69 mA - 20 C + 70 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 7050, 50ppm, 3.3V, 160MHz, OE, LVPECL, 3k pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

7 mm x 5 mm 160 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVPECL 69 mA - 20 C + 70 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 7050, 50ppm, 3.3V, 175MHz, OE, LVPECL, 3k pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

7 mm x 5 mm 175 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVPECL 69 mA - 20 C + 70 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 7050, 50ppm, 3.3V, 187.5MHz, OE, LVPECL, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

7 mm x 5 mm 187.5 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVPECL 69 mA - 20 C + 70 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 100MHz 25ppm 3.0Volt 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

SiT2018
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, SOT23, 50ppm, Default Dr Str, 1.8V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 250

SOT-23-5 25 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, LVTTL 3.8 mA - 40 C + 125 C SiT2024B

SiTime MEMS 발진기 27MHz -40C +105C 2.8V 30ppm AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SOT-23-5 27 MHz 30 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS 4 mA - 40 C + 105 C AEC-Q200 SiT2024B
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 7050, 25ppm, 3.3V, 156.25MHz, OE, LVDS, 250 pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 250
배수: 250
: 250

7 mm x 5 mm 156.25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 47 mA - 20 C + 70 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 10ppm, 2.5V, 161.1328MHz, OE, LVPECL, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

5 mm x 3.2 mm 161.1328 MHz 10 PPM 2.25 V 3.63 V LVPECL 69 mA - 40 C + 85 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 10ppm, 2.5V, 148.3516MHz, OE, LVDS, 250 pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 250
배수: 250
: 250

5 mm x 3.2 mm 148.3516 MHz 10 PPM 2.25 V 3.63 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 7050, 10ppm, 3.3V, 77.76MHz, OE, LVPECL, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

7 mm x 5 mm 77.76 MHz 10 PPM 2.97 V 3.63 V LVPECL 69 mA - 20 C + 70 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 7050, 10ppm, 2.5V, 133.333333MHz, OE, LVDS, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

7 mm x 5 mm 133.333333 MHz 10 PPM 2.25 V 3.63 V LVDS 55 mA - 20 C + 70 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 7050, 10ppm, 2.5V, 156.25MHz, OE, LVDS, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

7 mm x 5 mm 156.25 MHz 10 PPM 2.25 V 3.63 V LVDS 55 mA - 20 C + 70 C SiT9121