SiTime MEMS 발진기

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SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 25ppm, 3.3V, 50MHz, OE, 1k pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 50 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 25ppm, 3.3V, 25MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 25ppm, 2.25V-3.63V, 50MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 50 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 25ppm, 2.25V-3.63V, 50MHz, OE, 1k pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 50 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 50ppm, 3.3V, 66.66666MHz, OE, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

5 mm x 3.2 mm 66.66666 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 50MHz, OE, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

2 mm x 1.6 mm 50 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 66.66666MHz, OE, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

2 mm x 1.6 mm 66.66666 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 25ppm, 3.3V, 4MHz, OE, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

7 mm x 5 mm 4 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 25ppm, 3.3V, 4MHz, OE, 1k pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

7 mm x 5 mm 4 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 50ppm, 2.5V, 25MHz, OE, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

7 mm x 5 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS 4.2 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 50ppm, 3.3V, 25MHz, OE, 3k pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

7 mm x 5 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 50ppm, 3.3V, 40MHz, OE, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

7 mm x 5 mm 40 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 50ppm, 3.3V, 50MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 50 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 50ppm, 3.3V, 50MHz, OE, 1k pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

7 mm x 5 mm 50 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 12MHz 3.3V 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

12 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 24MHz 1.8V -20 to 70C 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 24 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2520, 50ppm, 3.3V, 24MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 24 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 5032, 50ppm, 3.3V, 33.333MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 33.333 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 26MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 26 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 54MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 54 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 72MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 72 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 3.3V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 4MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 4 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 50MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 50 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C SiT1602B