SiTime MEMS 발진기

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SiTime SiT1602BI-13-33S-25.000000G
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 25MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm
250예상 2026-05-27
최소: 250
배수: 250
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime SIT8918BE-23-33E-33.333333G
SiTime MEMS 발진기 -40 to 105C, 3225, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 33.333333MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 250
배수: 250
: 250

33.333333 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 4.7 mA - 40 C + 105 C SIT8918B
SiTime MEMS 발진기 32MHz 0C +70C 50ppm 공장 직송
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

QFN-4 32 MHz 10 PPM 15 pF 3.3 V 3.3 V CMOS 0 C + 70 C SiT8102
SiTime MEMS 발진기 32.768KHz 600mV1.20V -40C +85C 100ppm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 18,000
배수: 1,000
: 1,000

1.5 mm x 0.8 mm 32.768 kHz 100 PPM 1.5 V 3.63 V 1.4 uA - 40 C + 85 C SiT1532
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 1508, 100ppm, 0.032768MHz, DC-C, 600mV, 1.20V, 3k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 18,000
배수: 3,000
: 3,000

1.5 mm x 0.8 mm 32.768 kHz 100 PPM 1.5 V 3.63 V 1.4 uA - 40 C + 85 C SiT1532
SiTime MEMS 발진기 32.768KHz R2R LVCMOS -40 to 85C 100ppm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

1.5 mm x 0.8 mm 32.768 kHz 100 PPM 10 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.4 uA - 40 C + 85 C SiT1532
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 75ppm -10C +70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 75 PPM 1.2 V 3.63 V 1.3 uA - 10 C + 70 C
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 75ppm -10C +70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 75 PPM 1.2 V 3.63 V LVCMOS 1.3 uA - 10 C + 70 C
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 100ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 100 PPM 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.4 uA - 40 C + 85 C
SiTime MEMS 발진기 32.768KHz 600mV1.20V -40C +85C 100ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 100 PPM 10 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.4 uA - 40 C + 85 C
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 100ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 100 PPM 1.5 V 3.63 V 1.4 uA - 40 C + 85 C
SiTime MEMS 발진기 -10 to 70C, 2012, 75ppm, 0.000001MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 1k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 18,000
배수: 1,000
: 1,000

2 mm x 1.2 mm 1 Hz 75 PPM 1.2 V 3.63 V LVCMOS 1.3 uA - 10 C + 70 C SiT1534
SiTime MEMS 발진기 -10 to 70C, 1508, 75ppm, 0.000256MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 3k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 18,000
배수: 3,000
: 3,000

1.5 mm x 0.8 mm 256 Hz 75 PPM 1.2 V 3.63 V LVCMOS 1.3 uA - 10 C + 70 C SiT1534
SiTime MEMS 발진기 1Hz 100ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 12 주
최소: 18,000
배수: 1,000
: 1,000

2 mm x 1.2 mm 1 Hz 100 PPM 15 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.4 uA - 40 C + 85 C SiT1534
SiTime MEMS 발진기 0.256KHz R2R LVCMOS -40C to 85C 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 mm x 1.2 mm 256 Hz 100 PPM 15 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.4 uA - 40 C + 85 C SiT1534
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2012, 100ppm, 0.000032MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 1k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 18,000
배수: 1,000
: 1,000

2 mm x 1.2 mm 32 Hz 100 PPM 15 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS - 40 C + 85 C SiT1534
SiTime MEMS 발진기 4.096kHz 100ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 12 주
최소: 18,000
배수: 1,000
: 1,000

2 mm x 1.2 mm 4.096 kHz 100 PPM 15 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.4 uA - 40 C + 85 C SiT1534
SiTime MEMS 발진기 8.192MHz 100ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 12 주
최소: 18,000
배수: 1,000
: 1,000

2 mm x 1.2 mm 8.192 kHz 100 PPM 15 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.4 uA - 40 C + 85 C SiT1534
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 1.8V, 28.6363MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 28.6363 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 33MHz +/-50ppm 3.3V -20 to70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 250
배수: 250
: 250

7 mm x 5 mm 33 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2520, 25ppm, 1.8V, 33.33333MHz, OE, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 33.33333 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 20 C + 70 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2520, 25ppm, 1.8V, 75MHz, OE, 3k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

2.5 mm x 2 mm 75 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 20 C + 70 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2520, 25ppm, 1.8V, 75MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 75 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 20 C + 70 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2520, 25ppm, 1.8V, 26MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 26 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 20 C + 70 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2520, 25ppm, 3.3V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602A