SiTime MEMS 발진기

결과: 7,600
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SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 50MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 595재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 50 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 50ppm, 3.3V, 66.66666MHz, OE, 1k pcs T&R 12/16 mm 1,970재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 66.66666 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602A

SiTime MEMS 발진기 50MHz 3.3V -20C +70C 50ppm 543재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 20MHz 1.8V 25ppm -40C +85C 814재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 20 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 24MHz 1.8V 25ppm -40C +85C 783재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 24 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 50MHz 3.3V 50ppm -40C +85C 1,409재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 24MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 17재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 24 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 3.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 48MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 501재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 48 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 33.33333MHz, OE, 3k pcs T&R 8 mm 2,999재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

2.5 mm x 2 mm 33.33333 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 271재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 25ppm, 3.3V, 24MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 13재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 24 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 100ppm -40C +85C 303재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

32.768 kHz 100 PPM 15 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.85 uA - 45 C + 85 C SiT1630

SiTime MEMS 발진기 -40 to 105C, SOT23, 150ppm, 0.032768MHz, Default, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS 418재고 상태
2,000예상 2026-04-23
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SOT-23-5 32.768 kHz 150 PPM 1.5 V 3.63 V LVCMOS 2.8 uA - 40 C + 105 C
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, SOT23, 100ppm, 0.032768MHz, Default, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 250 pcs T&R 8 mm 174재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.9 mm x 2.8 mm 32.768 kHz 100 PPM 15 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.4 uA - 40 C + 85 C
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 25ppm, 3.3V, 24MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 219재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 24 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2520, 25ppm, 1.8V, 24MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 233재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 24 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 3225, 50ppm, 3.3V, 34MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 223재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

34 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 3225, 50ppm, 3.3V, 8MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 101재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250
8 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 62.5MHz 3.3V -40C +85C 231재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 62.5 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 1.8V, 100MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 250재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

100 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 12MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 519재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

12 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 24MHz, OE, T&R 723재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

24 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 12.0MHz -40C +85C 2.5-3.3V 50ppm 344재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 12 MHz 50 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 20ppm, 3.3V, 100MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 627재고 상태
500예상 2026-05-27
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 8MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 42재고 상태
250예상 2026-03-26
최소: 1
배수: 1
: 250

8 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B