Microchip DSC6100B 시리즈 MEMS 발진기

결과: 512
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Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.0 x 1.6mm 3,765재고 상태
최소: 1
배수: 1

VLGA-4 25 MHz 20 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 105 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 22재고 상태
최소: 1
배수: 1

VDFN-4 24 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 613재고 상태
최소: 1
배수: 1

VLGA-4 50 MHz 20 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 105 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 100재고 상태
최소: 25
배수: 25

VLGA-4 25 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Osc., Ultra Low Power, LVCMOS, -40-85C, 25ppm, 3.2x2.5mm 22재고 상태
최소: 1
배수: 1

VDFN-4 26 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33.3333MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 217재고 상태
최소: 1
배수: 1

VLGA-4 33.3333 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 105 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 48MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 50재고 상태
최소: 25
배수: 25

VLGA-4 48 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 27MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.0 x 1.6mm 1,202재고 상태
최소: 1
배수: 1

VLGA-4 27 MHz 20 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 105 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Osc., Ultra Low Power, LVCMOS, -40-105C, 20ppm, 3.2x2.5mm, 1k reel 2,000재고 상태
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-4 25 MHz 20 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 105 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 1,000재고 상태
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 25 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 2.5 x 2.0mm 165재고 상태
최소: 1
배수: 1

VLGA-4 25 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 125 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 48MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.0 x 1.6mm 90재고 상태
최소: 1
배수: 1

VLGA-4 48 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 27MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.0 x 1.6mm 1,000재고 상태
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 27 MHz 20 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 105 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 100MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 424재고 상태
최소: 1
배수: 1

VLGA-4 100 MHz 25 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 100MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 82재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

VLGA-4 100 MHz 25 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 100MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 100 MHz 20 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 33 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 105 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 8MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 8 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Osc., Ultra Low Power, LVCMOS, -20-70C, 50ppm, 7.0x5.0mm, 1k reel 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-4 457 kHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 20 C + 70 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 27MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
VLGA-4 27 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 125 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 22.4MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000
VLGA-4 22.4 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 20 C + 70 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 24 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 50 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 100MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000
VLGA-4 100 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 37.125MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000
VLGA-4 37.125 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C DSC6100B