MEMS 발진기

결과: 409
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 패키지/케이스 주파수 주파수 안정성 부하 용량 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 출력 형식 전류 정격 최저 작동온도 최고 작동온도 자격 시리즈
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 125MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 80재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 125 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33.3333MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 1,000재고 상태
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
CDFN-4 33.3333 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 38MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 100재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 38 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 3.57MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 650
배수: 25

DFN-4 3.57 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 3.57MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DFN-4 3.57 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 7.5MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1
DFN-4 7.5 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 7.5MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
DFN-4 7.5 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 26.5939MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
DFN-4 26.5939 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 125MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1
DFN-4 125 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 125MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
DFN-4 125 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 3.6864MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
DFN-4 3.6864 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 129.6MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 500
배수: 25

DFN-4 129.6 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 129.6MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DFN-4 129.6 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66.6666MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DFN-4 66.6666 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
DFN-4 50 MHz 20 PPM 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DFN-4 25 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DFN-4 24 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 125MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DFN-4 125 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 4.0625MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 5.0x3.2mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 4.0625 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 4.096MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 5.0x3.2mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 4.096 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33.333MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 5.0x3.2mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
CDFN-4 33.333 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 99MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 576
배수: 576

CDFN-4 99 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 99MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 99 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 2.048MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
CDFN-4 2.048 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 2.048MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
CDFN-4 2.048 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001