66 MHz MEMS 발진기

결과: 315
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Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 25PPM, 2.5-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 475재고 상태
최소: 25
배수: 25

VDFN-6 66 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1121
ABRACON MEMS 발진기 Oscillator 5032 4-SMD 66MHz 10ppm -40C - 105C CMOS 1.8V - 3.3V 620재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

QFN-4 66 MHz 10 PPM 15 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 6 mA, 7 mA, 8 mA - 40 C + 105 C ASFLMB
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 194재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 66 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
ABRACON MEMS 발진기 Oscillator 5032 4-SMD 66MHz 10ppm -40C - 85C CMOS 1.8V - 3.3V 489재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

QFN-4 66 MHz 10 PPM 15 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 6 mA, 7 mA, 8 mA - 40 C + 85 C ASFLMB
ABRACON MEMS 발진기 Oscillator 7050 4-SMD 66MHz 10ppm -40C - 105C CMOS 1.8V - 3.3V 296재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2820 (7050 metric) 66 MHz 10 PPM 1.7 V 3.3 V LVCMOS - 40 C + 105 C ASVMB
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 66 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER 비재고 리드 타임 5 주
최소: 650
배수: 25

DFN-4 66 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
CDFN-4 66 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
CDFN-4 66 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 66 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER 비재고 리드 타임 6 주
최소: 660
배수: 660

CDFN-4 66 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVDS, 66MHz, 25PPM, 2.5-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 330
배수: 330

VDFN-6 66 MHz 25 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 85 C DSC1103
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVDS, 66MHz, 25PPM, 2.5-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 66 MHz 25 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 85 C DSC1103
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 25PPM, 2.5-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-6 66 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 25PPM, 2.5-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 66 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 25PPM, 2.5-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 66 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V CMOS 27 mA - 40 C + 85 C DSC1201
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 50ppm, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm, 1k reel 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
VDFN-4 66 MHz 50 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 50ppm, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 792
배수: 792
VDFN-4 66 MHz 50 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 660
배수: 660

CDFN-4 66 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 66 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 25PPM, 2.5-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

CDFN-6 66 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 25PPM, 2.5-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1

VDFN-6 66 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V CMOS 27 mA - 40 C + 85 C DSC1201
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 66 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 66 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 -40C - 105C 50 ppm 066.0000MHz 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 66 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001