DSC1004 시리즈 MEMS 발진기

결과: 153
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Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator, Low Power 50ppm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 25

CDFN-4 24 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator, Low Power 50ppm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 24 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 26MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 25

CDFN-4 26 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 26MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 26 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 12 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 25 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 25

CDFN-4 50 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 50 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER 비재고 리드 타임 4 주
최소: 560
배수: 560

CDFN-4 100 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 16MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 420
배수: 420

CDFN-4 16 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 16MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 16 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 420
배수: 420

CDFN-4 24 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 24 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 25

CDFN-4 27 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 27 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 25
CDFN-4 25 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 600
배수: 25

DFN-4 24 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DFN-4 24 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 650
배수: 25

DFN-4 12 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DFN-4 12 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 4.9152MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 650
배수: 25

DFN-4 4.9152 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 4.9152MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DFN-4 4.9152 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 7.3728MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 650
배수: 25

DFN-4 7.3728 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 7.3728MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DFN-4 7.3728 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 121.5MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 360
배수: 360

CDFN-4 121.5 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004