결과: 358
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Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator High Perf Single LVDS Ou 비재고 리드 타임 4 주
최소: 330
배수: 330

VDFN-6 148.35 MHz 25 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 85 C DSC1103
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator High Perf Single LVDS Ou 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 148.35 MHz 25 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 85 C DSC1103
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVDS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 16 MHz 10 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 85 C DSC1103
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVDS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 220
배수: 220

VDFN-6 45 MHz 10 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 85 C DSC1103
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVDS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 45 MHz 10 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 85 C DSC1103
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVDS -40C-105C5C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 220
배수: 220

VDFN-6 150 MHz 10 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 105 C DSC1103
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVDS -40C-105C5C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 150 MHz 10 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 105 C DSC1103
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVDS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 100 MHz 25 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 85 C DSC1103
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVDS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 280
배수: 280

VDFN-6 108 MHz 25 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 85 C DSC1103
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVDS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 108 MHz 25 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 85 C DSC1103
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator High Perf Single LVDS Ou 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 148.35 MHz 25 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 85 C DSC1103
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVDS -20C-70CC 비재고 리드 타임 4 주
최소: 300
배수: 50

VDFN-6 114.285 MHz 50 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 20 mA - 20 C + 70 C DSC1103
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVDS -20C-70CC 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 114.285 MHz 50 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 20 mA - 20 C + 70 C DSC1103
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR HCSL -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 440
배수: 440

CDFN-6 27 MHz 50 PPM 2 pF 2.25 V 3.6 V HCSL 40 mA - 40 C + 85 C DSC1104
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR HCSL -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-6 27 MHz 50 PPM 2 pF 2.25 V 3.6 V HCSL 40 mA - 40 C + 85 C DSC1104
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR HCSL -40C-85C 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-6 27 MHz 25 PPM 2 pF 2.25 V 3.6 V HCSL 40 mA - 40 C + 85 C DSC1104
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR HCSL -40C-105C5C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 420
배수: 420

CDFN-6 27 MHz 50 PPM 2 pF 2.25 V 3.6 V HCSL 40 mA - 40 C + 105 C DSC1104
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR HCSL -40C-105C5C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-6 27 MHz 50 PPM 2 pF 2.25 V 3.6 V HCSL 40 mA - 40 C + 105 C DSC1104
Microchip Technology MEMS 발진기 Low jitter MEMS osci llator 27MHz LVCMOS 비재고 리드 타임 4 주
최소: 560
배수: 140

VDFN-6
Microchip Technology MEMS 발진기 Low jitter MEMS osci llator 27MHz LVCMOS 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 DSC1105
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 600
배수: 25

VDFN-6 40 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 20 C + 70 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 350
배수: 25

VDFN-6 10 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 20 C + 70 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 10 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 20 C + 70 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 22.5792 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 20 C + 70 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 24.576 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 20 C + 70 C DSC1121