DSC1001 저전력 정밀 CMOS 발진기

Microchip DSC1001 저전력 정밀 CMOS 발진기는 실리콘 MEMS 기반 CMOS 발진기입니다. 이 발진기는 폭넓은 공급 전압 및 온도 범위에서 우수한 지터 및 안정성 성능을 제공합니다. 각 장치는 1~150MHz, 1.8~3.3V의 공급 전압 범위, 최대 -40ºC~105ºC의 온도 범위에서 작동합니다. DSC1001은 수정 기반 발진기에는 공통적인 사항이지만, 극히 견고하고 응력 관련 파괴에 거의 내성이 있는 완전 실리콘 공진기가 내장되어 있습니다. 첨단 시스템에 요구되는 성능과 안정성을 훼손하지 않고 수정을 사용하지 않는 설계 장치를 통해 더 높은 신뢰성 수준을 달성할 수 있습니다. 따라서 이 발진기는 응력, 충격 및 진동이 수정 진동자 기반 시스템을 손상시킬 수 있는 거친 환경, 산업 현장용 및 휴대용 애플리케이션에 이상적입니다.
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시리즈
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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132재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-4 12 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator, Low Power 50ppm
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102재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 38.4 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 48MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
데이터시트
736재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 48 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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668재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 12 MHz 20 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 3.58MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
데이터시트
854재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 3.58 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 108MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
데이터시트
841재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 108 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 44MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
데이터시트
100재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 44 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 125MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
데이터시트
20재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 125 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 -40C - 85C 25 ppm 048.0000MHz
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967재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 48 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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48재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 12 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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379재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-4 1.485 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C
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392재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 4.096 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
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480재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 33 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 19.6608MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 7.0 x 5.0mm
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100재고 상태
최소: 25
배수: 25

DFN-4 19.6608 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
데이터시트
788재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 33 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 150MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
데이터시트
373재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 150 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Lower Power 50ppm
데이터시트
97재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 13.56 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24.576MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
데이터시트
81재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 24.576 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 2520 pkg -40-85C 25ppm 024.5760MHz
데이터시트
405재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 24.576 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 133MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
데이터시트
527재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 133 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
데이터시트
5재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-4 20 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
데이터시트
192재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 108 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66.667MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
데이터시트
199재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 66.667 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 150MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
데이터시트
286재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 150 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 Oscillator Low Power -40C-105C 10ppm
데이터시트
72재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-4 50 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001