SiT1602 Low-Power Standard Frequency Oscillators

SiTime SiT1602 and SiT1602B Low-Power Standard Frequency Oscillators offer a programmable drive strength feature to provide a simple, flexible tool to optimize the clock rise/fall time for specific applications. The programmable drive strength improves system radiated electromagnetic interference (EMI) by slowing down the clock rise/fall time. The programmable drive strength also improves the downstream clock receiver’s (RX) jitter by decreasing (speeding up) the clock rise/fall time. The components have the ability to drive large capacitive loads while maintaining full swing with sharp edge rates. The oscillators exhibit EMI reduction by slowing rise/fall time and jitter reduction with faster rise/fall time. SiTime SiT1602 and SiT1602B oscillators can support up to 60pF or higher in maximum capacitive loads with drive strength settings.

결과: 74
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SiTime MEMS 발진기 66.666MHz 3.3Volt 50ppm -40C to 85C 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 66.66666 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime SiT1602BC-12-18E-33.333330G
SiTime MEMS 발진기 33.33333MHz 25ppm -20 to +70C 1.8V 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 33.33333 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime SiT1602BC-22-33E-20.000000E
SiTime MEMS 발진기 20MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 20 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime SiT1602BC-22-33E-24.000000E
SiTime MEMS 발진기 24MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 24 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime SiT1602BC-22-33E-25.000000E
SiTime MEMS 발진기 25MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime SiT1602BC-32-33E-12.000000Y
SiTime MEMS 발진기 12MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 12 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime SiT1602BC-32-33E-48.000000Y
SiTime MEMS 발진기 48MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 48 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime SiT1602BC-82-33E-10.000000Y
SiTime MEMS 발진기 10MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

7 mm x 5 mm 10 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime SiT1602BC-82-33E-12.000000Y
SiTime MEMS 발진기 12MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

7 mm x 5 mm 12 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime SiT1602BC-82-33E-20.000000Y
SiTime MEMS 발진기 20MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

7 mm x 5 mm 20 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime SiT1602BC-82-33E-48.000000Y
SiTime MEMS 발진기 48MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

7 mm x 5 mm 48 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime SiT1602BC-83-25E-66.000000X
SiTime MEMS 발진기 66MHz 2.5V 50ppm -20C +70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 66 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime SiT1602BC-83-33S-33.000000X
SiTime MEMS 발진기 33MHz +/-50ppm 3.3V -20C +70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 33 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime SiT1602BC-12-18S-33.333330G
SiTime MEMS 발진기 33.33333MHz 25ppm -20 to +70C 1.8V 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 33.33333 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime SiT1602BC-12-33E-26.000000G
SiTime MEMS 발진기 26MHz 25ppm 3.3V -20 to +70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 26 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime SiT1602BC-13-18E-25.000000G
SiTime MEMS 발진기 25MHz 1.8V -20 to 70C 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime SiT1602BC-83-33E-25.000000X
SiTime MEMS 발진기 25MHz 50ppm 3.3V -20 to 70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 25 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime SiT1602BC-83-33E-24.576000X
SiTime MEMS 발진기 24.576MHz +/-50ppm 3.3V -20C +70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 24.576 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime SiT1602BI-12-18E-12.000000E
SiTime MEMS 발진기 12MHz 1.8V 25ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 12 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime SiT1602BI-12-18E-27.000000E
SiTime MEMS 발진기 27MHz 1.8V 25ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 27 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime SiT1602BI-12-18E-48.000000E
SiTime MEMS 발진기 48MHz 1.8V 25ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 48 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime SiT1602BI-12-18E-50.000000E
SiTime MEMS 발진기 50MHz 1.8V 25ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime SiT1602BI-12-25E-48.000000E
SiTime MEMS 발진기 48MHz 2.5V 25ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 48 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime SiT1602BI-12-25E-50.000000E
SiTime MEMS 발진기 50MHz 2.5V 25ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime SiT1602BI-12-33E-6.000000E
SiTime MEMS 발진기 6MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 6 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B