Microchip DSC1003 시리즈 MEMS 발진기

결과: 212
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 패키지/케이스 주파수 주파수 안정성 부하 용량 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 출력 형식 전류 정격 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈
Microchip Technology MEMS 발진기 -40C - 105C 50 ppm 025.0000MHz 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 25 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 50 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 50 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 60MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 60 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 660
배수: 660

CDFN-4 25 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 660
배수: 660

CDFN-4 50 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 70MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 550
배수: 25

CDFN-4 70 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 70MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 70 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 25 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 50 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 10MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 660
배수: 660

CDFN-4 50 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 10MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 50 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 20MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 20 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 87.5MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 87.5 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 87.5MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 20MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 20 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 95MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 95MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 95 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 48MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 48 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 660
배수: 660

CDFN-4 25 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 25 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Lower Power 25ppm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 25

CDFN-4 40 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Lower Power 25ppm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 50 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24.576MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 24.576 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003