Microchip DSC1004 시리즈 MEMS 발진기

결과: 153
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Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator, Low Power 50ppm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DFN-4 1 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator, Low Power 25ppm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

DFN-4 1 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator, Low Power 25ppm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DFN-4 1 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1
CDFN-4 25 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
CDFN-4 25 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 5MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 360
배수: 360

CDFN-4 5 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 5MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 5 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER 비재고 리드 타임 4 주
최소: 360
배수: 360

CDFN-4 16 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 16 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER 비재고 리드 타임 4 주
최소: 660
배수: 660

CDFN-4 33.3333 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 33.3333 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator, Low Power 50ppm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 660
배수: 660

CDFN-4 50 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 20.9715MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 20.9715 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 63.22MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
CDFN-4 63.22 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 60MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 660
배수: 660

CDFN-4 60 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 60MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 60 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER 비재고 리드 타임 4 주
최소: 550
배수: 25

CDFN-4 98.304 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 98.304 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 440
배수: 440
CDFN-4 25 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 26.6MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 440
배수: 440
CDFN-4 26.6 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
CDFN-4 25 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 26.6MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
CDFN-4 26.6 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 26MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 25

CDFN-4 26 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 26MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 26 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1004
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 6.78MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 6.78 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1004