MEMS 발진기

결과: 65
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Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24.7MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,200
배수: 1,200

VFLGA-4 24.7 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,200
배수: 1,200

VFLGA-4 25 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 27MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,200
배수: 1,200

VFLGA-4 27 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24.7MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 1,000

VFLGA-4 24.7 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 1,000

VFLGA-4 25 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 27MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 1,000

VFLGA-4 27 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 900
배수: 900

VFLGA-4 25 MHz 20 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 125 C
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VFLGA-4 25 MHz 20 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 125 C
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Osc., Ultra Low Power, LVCMOS, -40-85C, 25ppm, 1.6x1.2mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,200
배수: 1,200

VFLGA-4 6 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Osc., Ultra Low Power, LVCMOS, -40-85C, 25ppm, 1.6x1.2mm, 1k reel 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 1,000

VFLGA-4 6 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 48MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 900
배수: 900

VFLGA-4 48 MHz 20 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 125 C
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 75MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 900
배수: 900

VFLGA-4 75 MHz 20 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 125 C
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 48MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VFLGA-4 48 MHz 20 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 125 C
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 75MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VFLGA-4 75 MHz 20 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 125 C
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Osc., Ultra Low Power, LVCMOS, -40-85C, 50ppm, 1.6x1.2mm 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1,200
배수: 1,200

VFLGA-4 50 MHz 50 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Osc., Ultra Low Power, LVCMOS, -40-85C, 50ppm, 1.6x1.2mm, 1k reel 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 1,000

VFLGA-4 50 MHz 50 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 32.768KHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 13 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 32.768 kHz 20 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 105 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Osc., Ultra Low Power, LVCMOS, -20-70C, 25ppm, 2.5x2.0mm 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1
배수: 1

VLGA-4 25 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 20 C + 70 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 100MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1
배수: 1

VLGA-4 100 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 20 C + 70 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Osc., Ultra Low Power, LVCMOS, -20-70C, 25ppm, 2.5x2.0mm, 1k reel 비재고 리드 타임 13 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 25 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 20 C + 70 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 100MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 13 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 100 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 20 C + 70 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Osc., Ultra Low Power, LVCMOS, -40-85C, 50ppm, 2.5x2.0mm 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1
배수: 1

VLGA-4 7.3728 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1
배수: 1

VLGA-4 12 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1
배수: 1

VLGA-4 50 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C DSC6100B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 2MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 13 주
최소: 2,000
배수: 1,000
: 1,000

VLGA-4 2 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 3 mA - 40 C + 85 C DSC6100B