MEMS 발진기

결과: 51
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SiTime MEMS 발진기 32.768KHz 400mV1.10V -40C +85C 100ppm 8,394재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

1.5 mm x 0.8 mm 32.768 kHz 100 PPM 1.5 V 3.63 V 1.4 uA - 40 C + 85 C SiT1532
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 75ppm -10C +70C 70재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 75 PPM 10 pF 1.2 V 3.63 V LVCMOS 1.3 uA - 10 C + 70 C
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 100ppm -40C +85C 1,152재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 100 PPM 10 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS - 40 C + 85 C
SiTime MEMS 발진기 -10 to 70C, 2012, 75ppm, 0.032768MHz, DC-C, 300mV, 900mV, 1k pcs T&R 8 mm 8,942재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 75 PPM 1.2 V 3.63 V LVCMOS 1.3 uA - 10 C + 70 C
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 75ppm -10C +70C 9,158재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

1.5 mm x 0.8 mm 32.768 kHz 75 PPM 15 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.3 uA - 10 C + 70 C SiT1532
SiTime MEMS 발진기 -10 to 70C, 2012, 75ppm, 0.032768MHz, DC-C, 400mV, 1.10V, 3k pcs T&R 8 mm 2,475재고 상태
3,000예상 2026-03-09
최소: 1
배수: 1
: 3,000

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 75 PPM 1.2 V 3.63 V LVCMOS 1.3 uA - 10 C + 70 C
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 75ppm -10C +70C 2,739재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 75 PPM 10 pF 1.2 V 3.63 V LVCMOS 1.3 uA - 10 C + 70 C
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 100ppm -40C +85C 3,044재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 100 PPM 10 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.4 uA - 40 C + 85 C
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 100ppm -40C +85C 9,209재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

2 mm x 1.5 mm 32.768 kHz 100 PPM 10 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.4 uA - 40 C + 85 C
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 75ppm -20C +70C 81재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 75 PPM 10 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS - 10 C + 70 C
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 75ppm -10C +70C 118재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 75 PPM 10 pF 1.2 V 3.63 V LVCMOS 1.3 uA - 10 C + 70 C
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 100ppm -40C +85C 88재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 100 PPM 10 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.4 uA - 40 C + 85 C
SiTime MEMS 발진기 32.768KHz 400mV1.10V -40C +85C 100ppm 229재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 100 PPM 10 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.4 uA - 40 C + 85 C
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 100ppm -40C +85C 656재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 100 PPM 10 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.4 uA - 40 C + 85 C
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 100ppm -40C +85C
3,000예상 2026-04-07
최소: 1
배수: 1
: 3,000

1.5 mm x 0.8 mm 32.768 kHz 100 PPM 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.4 uA - 40 C + 85 C SiT1532
SiTime MEMS 발진기 2.048MHz 1.8Volt -40 to +85 100ppm
975예상 2026-05-14
최소: 1
배수: 1
: 1,000

1.5 mm x 0.8 mm 2.048 MHz 100 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 160 uA - 40 C + 85 C SiT8021
SiTime MEMS 발진기 32.768KHz 600mV1.20V -40C +85C 100ppm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 18,000
배수: 1,000
: 1,000

1.5 mm x 0.8 mm 32.768 kHz 100 PPM 1.5 V 3.63 V 1.4 uA - 40 C + 85 C SiT1532
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 1508, 100ppm, 0.032768MHz, DC-C, 600mV, 1.20V, 3k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 18,000
배수: 3,000
: 3,000

1.5 mm x 0.8 mm 32.768 kHz 100 PPM 1.5 V 3.63 V 1.4 uA - 40 C + 85 C SiT1532
SiTime MEMS 발진기 32.768KHz R2R LVCMOS -40 to 85C 100ppm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

1.5 mm x 0.8 mm 32.768 kHz 100 PPM 10 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.4 uA - 40 C + 85 C SiT1532
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 75ppm -10C +70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 75 PPM 1.2 V 3.63 V 1.3 uA - 10 C + 70 C
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 75ppm -10C +70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 75 PPM 1.2 V 3.63 V LVCMOS 1.3 uA - 10 C + 70 C
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 100ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 100 PPM 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.4 uA - 40 C + 85 C
SiTime MEMS 발진기 32.768KHz 600mV1.20V -40C +85C 100ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 100 PPM 10 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.4 uA - 40 C + 85 C
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 100ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 100 PPM 1.5 V 3.63 V 1.4 uA - 40 C + 85 C
SiTime MEMS 발진기 8MHz 1.8V 100ppm -20C +70C 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

1.5 mm x 0.8 mm 8 MHz 100 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 160 uA - 20 C + 70 C SiT8021