수동 부품

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CTS Electronic Components 435F25013IDT
CTS Electronic Components 결정 5.0mm x 3.2mm 2-Pad Surface Mount Crystal, 25.000000MHz, Tol 10ppm, Stab 30ppm, -40 C/+85 C, 18F, 40 Ohms, 1k/reel 비재고 리드 타임 7 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

CTS Electronic Components 416F25013CAR
CTS Electronic Components 결정 25MHz 10pF 10ppm -20C +70C 비재고 리드 타임 8 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

CTS Electronic Components 416F25013CTR
CTS Electronic Components 결정 25MHz 6pF 10ppm -20C +70C 비재고 리드 타임 8 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

CTS Electronic Components 435F25013GDT
CTS Electronic Components 결정 5.0mm x 3.2mm 2-Pad Surface Mount Crystal, 25.000000MHz, Tol 10ppm, Stab 30ppm, -40 C/+105 C, 18F, 40 Ohms, 1k/reel 비재고 리드 타임 7 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

CTS Electronic Components 416F25013ASR
CTS Electronic Components 결정 25MHz Series 10ppm 0C +60C 비재고 리드 타임 8 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

CTS Electronic Components 435F25013GKT
CTS Electronic Components 결정 5.0mm x 3.2mm 2-Pad Surface Mount Crystal, 25.000000MHz, Tol 10ppm, Stab 30ppm, -40 C/+105 C, 8pF, 40 Ohms, 1k/reel 비재고 리드 타임 7 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

CTS Electronic Components 416F25013CKR
CTS Electronic Components 결정 25MHz 8pF 10ppm -20C +70C 비재고 리드 타임 8 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

TE Connectivity / Holsworthy 후막 저항기 - SMD CRGH2512 5% 2K7 2W 15,507재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 13.56MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 13.56MHz, 10PPM, 2.5-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 420
배수: 420

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 440
배수: 440

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 420
배수: 420

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 420
배수: 420

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 13.56MHz, 10PPM, 2.5-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Vishay 탄탈륨 커패시터 - 액체 560UF 30V 10% T4P 비재고 리드 타임 24 주
최소: 20
배수: 20
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 13.5MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 440
배수: 440

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 13.3333MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 440
배수: 440

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 13.3333MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Vishay 탄탈륨 커패시터 - 액체 56UF 30V 10% T1P 비재고 리드 타임 24 주
최소: 25
배수: 25
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 13.5MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Vishay 탄탈륨 커패시터 - 액체 220UF 30V 20% T2P 비재고 리드 타임 24 주
최소: 25
배수: 25