0603AS 시리즈 인덕터, 초크 및 코일

인턱터, 초크 및 코일 유형

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결과: 462
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 27nH, Tol 5% 비재고 리드 타임 10 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

27 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 27nH 250 MHz 5% Tol 비재고 리드 타임 11 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

27 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 30nH, Tol 5% 비재고 리드 타임 10 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

30 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 11 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

30 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 33nH 250 MHz 5% Tol 비재고 리드 타임 11 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

33 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 36nH, Tol 5% 비재고 리드 타임 10 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

36 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 11 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

36 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 39nH, Tol 5% 비재고 리드 타임 10 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

39 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 11 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

39 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 43nH, Tol 5% 비재고 리드 타임 10 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

43 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 11 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

43 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 47nH 200MHz 5% AEC-Q200 비재고 리드 타임 11 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

47 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 51nH, Tol 5% 비재고 리드 타임 10 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

51 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 11 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

51 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 56nH, Tol 5% 비재고 리드 타임 10 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

56 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 56nH 200MHz 5% AEC-Q200 비재고 리드 타임 11 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

56 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 68nH 200MHz 5% AEC-Q200 비재고 리드 타임 11 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

68 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 72nH, Tol 5% 비재고 리드 타임 10 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

72 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 72nH 150 MHz 5% Tol. 비재고 리드 타임 11 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

72 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 11 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

82 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 90nH, Tol 5% 비재고 리드 타임 10 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

90 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 11 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

90 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 1.2nH, Tol 20% 비재고 리드 타임 10 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

1.2 nH 20 % 850 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 11 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

1.2 nH 20 % 850 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor, Ind 1.3nH, Tol 20% 비재고 리드 타임 10 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

1.3 nH 20 % 850 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200