신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK RF 인덕터 - SMD 1.8uH 850mohms 50mA +/-5% Fer AEC-Q200 5,518재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.8 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 50mA, 1.8 H, 850mO 10,130재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.8 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.8uH 850mohms 50mA +/-10% Fer AEC-Q200 1,994재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.8 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 2.2 H, 1O 7,865재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

2.2 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2.2uH 1.0ohms 30mA +/-5% Fer AEC-Q200 5,014재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

2.2 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2.2 UH 10% 6,248재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

2.2 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2.2uH 1.0ohms 30mA +/-10% Fer AEC-Q200 6,286재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

2.2 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2.2uH 1.0ohms 30mA +/-20% Fer AEC-Q200 84재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

2.2 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 0603 2.7uH 5% 6,940재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

2.7 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2.7uH 1.15ohms 30mA +/-5% Fer AEC-Q200 668재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

2.7 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2.7 UH 10% 6,914재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

2.7 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 0603 3.3uH 5% 5,562재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

3.3 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 3.3uH 1.3ohms 30mA +/-5% Fer AEC-Q200 480재고 상태
8,000예상 2026-02-18
최소: 1
배수: 1
: 4,000

3.3 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 3.3uH 1.3ohms 30mA +/-10% Fer AEC-Q200 606재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

3.3 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 3.3 H, 1.3O 5,737재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000
3.3 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 3.3uH 1.3ohms 30mA +/-20% Fer AEC-Q200 4,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

3.3 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 3.9 H, 1.45O 5,407재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

3.9 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 3.9uH 1.45ohms 30mA +/-5% Fer AEC-Q200 7,280재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

3.9 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 3.9 H, 1.45O 4,990재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000
3.9 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 3.9uH 1.45ohms 30mA +/-20% Fer AEC-Q200 3,100재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

3.9 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 0603 4.7uH 5% 7,693재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

4.7 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 4.7 H, 1.6O 14,776재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

4.7 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 15 UH 10% 4,966재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

15 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 15uH 1.5ohms 2mA +/-10% Fer AEC-Q200 4,907재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

15 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -40 to +85 degC, 2mA, 15 H, 1.5O 4,958재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

15 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C