신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형
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결과: 684
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS 인덕턴스
공차
최대 DC 전류
종단 스타일
최고 작동온도
자격
TDK RF 인덕터 - SMD 8.2uH 700mohms 15mA +/-20% Fer AEC-Q200
데이터시트
비재고 리드 타임 15 주
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최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

8.2 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 39uH 2.4ohms 4mA +/-10% Fer AEC-Q200
데이터시트
비재고 리드 타임 15 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

39 uH 10 % 4 mA SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 39uH 2.4ohms 4mA +/-20% Fer AEC-Q200
데이터시트
비재고 리드 타임 15 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

39 uH 20 % 4 mA SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 47uH 2.7ohms 4mA +/-20% Fer AEC-Q200
데이터시트
비재고 리드 타임 15 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

47 uH 20 % 4 mA SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 56uH 2.8ohms 4mA +/-20% Fer AEC-Q200
데이터시트
비재고 리드 타임 15 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

56 uH 20 % 4 mA SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-4R7M-EF
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

4.7 uH 20 % 285 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-6R8M-EF
데이터시트
리드 타임 10 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

6.8 uH 20 % 275 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-R10M-EFR
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리드 타임 10 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
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100 nH 20 % 1.89 A SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-R15M-EFR
데이터시트
리드 타임 10 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

150 nH 20 % 1.8 A SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-R22M-EFR
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비재고 리드 타임 10 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

220 nH 20 % 1.69 A SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-R47M-EFR
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리드 타임 10 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
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470 nH 20 % 1.34 A SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-R68M-EFR
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
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680 nH 20 % 1.26 A SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD General purpose multilayer chip inductor
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배수: 10,000
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1.2 uH 10 % 10 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -40 to +85 degC, 30mA, 1.5H, 950mO
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최소: 10,000
배수: 10,000
릴: 10,000

1.5 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 85 C
TDK RF 인덕터 - SMD General purpose multilayer chip inductor
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120 nH 10 % 25 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -40 to +85 degC, 140mA, 0.12H, 590mO
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120 nH 10 % 140 mA SMD/SMT + 85 C
TDK RF 인덕터 - SMD General purpose multilayer chip inductor
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최소: 10,000
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릴: 10,000

150 nH 10 % 25 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -40 to +85 degC, 130mA, 0.15H, 630mO
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150 nH 10 % 130 mA SMD/SMT + 85 C
TDK RF 인덕터 - SMD General purpose multilayer chip inductor
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180 nH 10 % 25 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -40 to +85 degC, 120mA, 0.18H, 760mO
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180 nH 10 % 120 mA SMD/SMT + 85 C
TDK RF 인덕터 - SMD General purpose multilayer chip inductor
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270 nH 10 % 25 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -40 to +85 degC, 100mA, 0.27H, 910mO
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270 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 85 C
TDK RF 인덕터 - SMD General purpose multilayer chip inductor
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330 nH 10 % 25 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -40 to +85 degC, 90mA, 0.33H, 1.05O
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330 nH 10 % 90 mA SMD/SMT + 85 C
TDK RF 인덕터 - SMD General purpose multilayer chip inductor
데이터시트
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릴: 10,000

390 nH 10 % 10 mA SMD/SMT + 125 C