신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS 인덕턴스
공차
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자격
TDK RF 인덕터 - SMD 150nH 200mohms 300mA +/-10% Fer AEC-Q200
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릴: 4,000

150 nH 10 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.15 H, 200mO
데이터시트
비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
릴: 4,000

150 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 150nH 200mohms 300mA +/-20% Fer AEC-Q200
데이터시트
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릴: 4,000

150 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.18 H, 250mO
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최소: 1
배수: 1
릴: 4,000

180 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 180nH 250mohms 300mA +/-10% Fer AEC-Q200
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리드 타임 15 주
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배수: 1
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180 nH 10 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 250mA, 0.22 H, 300mO
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비재고 리드 타임 15 주
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배수: 1
릴: 4,000

220 nH 20 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 220nH 300mohms 250mA +/-20% Fer AEC-Q200
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리드 타임 15 주
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220 nH 20 % 250 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 270nH 350mohms 250mA +/-10% Fer AEC-Q200
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270 nH 10 % 250 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 270nH 350mohms 250mA +/-20% Fer AEC-Q200
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리드 타임 15 주
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270 nH 20 % 250 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 250mA, 0.33 H, 400mO
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330 nH 20 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 330nH 400mohms 250mA +/-20% Fer AEC-Q200
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330 nH 20 % 250 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 0805 0.39uH 10%
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390 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 390nH 450mohms 200mA +/-20% Fer AEC-Q200
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390 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 470nH 500mohms 200mA +/-20% Fer AEC-Q200
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470 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 560nH 550mohms 150mA +/-20% Fer AEC-Q200
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560 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 680nH 600mohms 150mA +/-20% Fer AEC-Q200
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리드 타임 15 주
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680 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 10uH 800mohms 15mA +/-20% Fer AEC-Q200
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최소: 1
배수: 1
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10 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 12uH 900mohms 15mA +/-10% Fer AEC-Q200
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12 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 15mA, 12 H, 900mO
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비재고 리드 타임 15 주
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12 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 12uH 900mohms 15mA +/-20% Fer AEC-Q200
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12 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 5.6uH 600mohms 15mA +/-20% Fer AEC-Q200
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5.6 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 6.8uH 650mohms 15mA +/-5% Fer AEC-Q200
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6.8 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 15mA, 6.8 H, 650mO
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6.8 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 6.8uH 650mohms 15mA +/-20% Fer AEC-Q200
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6.8 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 8.2uH 700mohms 15mA +/-5% Fer AEC-Q200
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8.2 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200