신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 80mA, 1.5 H, 400mO 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.5 uH 20 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.5uH 400mohms 80mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.5 uH 20 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.8uH 450mohms 80mA +/-5% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.8 uH 5 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 80mA, 1.8 H, 450mO 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.8 uH 20 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2.7uH 550mohms 50mA +/-5% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

2.7 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 50mA, 2.7 H, 550mO 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

2.7 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2.7uH 550mohms 50mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

2.7 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 3.3uH 600mohms 50mA +/-10% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 3.3uH 600mohms 50mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 3.9uH 650mohms 30mA +/-5% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.9 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 30mA, 3.9 H, 650mO 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.9 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 3.9uH 650mohms 30mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.9 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 4.7uH 700mohms 30mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

4.7 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 15uH 700mohms 5mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

15 uH 20 % 5 mA SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 5mA, 18 H, 800mO 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

18 uH 20 % 5 mA SMD/SMT + 85 C
TDK RF 인덕터 - SMD 18uH 800mohms 5mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

18 uH 20 % 5 mA SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 5mA, 22 H, 900mO 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

22 uH 20 % 5 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 22uH 900mohms 5mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

22 uH 20 % 5 mA SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 27uH 1.0ohms 5mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

27 uH 20 % 5 mA SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 2mA, 68 H, 2.9O 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

68 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 85 C
TDK RF 인덕터 - SMD 82uH 3.0ohms 2mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

82 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 100nH 150mohms 300mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

100 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 120nH 200mohms 300mA +/-10% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

120 nH 10 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.12 H, 200mO 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

120 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 120nH 200mohms 300mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

120 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200