신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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결과: 684
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK RF 인덕터 - SMD 0402 0.12uH 10% 재고 없음
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

120 nH 10 % 25 mA SMD/SMT + 85 C
TDK RF 인덕터 - SMD 0402 0.18uH 10% 재고 없음
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

180 nH 10 % 25 mA SMD/SMT + 85 C
TDK RF 인덕터 - SMD 0402 0.27uH 10% 재고 없음
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

270 nH 10 % 25 mA SMD/SMT + 85 C
TDK RF 인덕터 - SMD 0402 0.33uH 10% 재고 없음
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

330 nH 10 % 25 mA SMD/SMT + 85 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.0uH 0.64ohms 40mA 290MHz Q=60 +/-5% 재고 없음
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

1 uH 5 % 40 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.2uH 650mohms 50mA +/-20% Fer AEC-Q200 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.2 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.5uH 700mohms 50mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.5 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 50mA, 1.8 H, 850mO 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.8 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.8uH 850mohms 50mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.8 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 2.2 H, 1O 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

2.2 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2.7uH 1.15ohms 30mA +/-10% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

2.7 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 2.7 H, 1.15O 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

2.7 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2.7uH 1.15ohms 30mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

2.7 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 3.9 H, 1.45O 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

3.9 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 3.9uH 1.45ohms 30mA +/-10% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

3.9 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 4.7 H, 1.6O 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

4.7 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 4.7uH 1.6ohms 30mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

4.7 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -40 to +85 degC, 2mA, 18 H, 1.6O 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

18 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -40 to +85 degC, 2mA, 22 H, 1.7O 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

22 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 85 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -40 to +85 degC, 2mA, 27 H, 1.8O 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

27 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 27uH 1.8ohms 2mA +/-10% Fer AEC-Q200 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

27 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -40 to +85 degC, 2mA, 27 H, 1.8O 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

27 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.1 H, 350mO 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

100 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 100nH 350mohms 200mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

100 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 120nH 400mohms 200mA +/-10% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

120 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200