신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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결과: 684
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK RF 인덕터 - SMD 15uH 2.2ohms 175mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

15 uH 10 % 175 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.0uH 0.34ohms 475mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1 uH 20 % 475 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.5uH 546mohms 435mA Wound Ferrite 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1.5 uH 20 % 435 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.5uH 0.42ohms 435mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1.5 uH 20 % 435 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.5uH 216mohms 890mA 125C Wound Ferrite 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1.5 uH 20 % 435 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2.2uH 0.5ohms 390mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

2.2 uH 20 % 390 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 3.3uH 0.65ohms 340mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 uH 20 % 340 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 6.8uH 1.104ohm 390mA 125C Wound Ferrite 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

6.8 uH 20 % 275 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD 470nH 96mohms 1.34A 125C Wound Ferrite 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

470 nH 20 % 1.34 A SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.5uH 0.18ohms 890mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1.5 uH 20 % 435 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 3.3uH 0.44ohms 570mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 uH 20 % 340 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 0.1uH 0.04ohms 1.89A 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

100 nH 20 % 1.89 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .15uH 0.044ohm 1.8mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

150 nH 20 % 1.8 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 0.22uH 0.05ohm 1.69A 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

220 nH 20 % 1.69 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .33uH 0.065ohm 1.48A 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

330 nH 20 % 1.48 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 0.68uH 0.09ohm 1.26A 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

680 nH 20 % 1.26 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.5uH 0.11ohms 830mA 3.2x2.5mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1.5 uH 20 % 830 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 68uH 2.8ohms 140mA 3.2x2.5mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

68 uH 10 % 140 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-100K-EFD 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

10 uH 10 % 210 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-150K-EF 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

15 uH 10 % 175 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-150K-EFD 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

15 uH SMD/SMT AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-1R0M-EFD 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1 uH SMD/SMT AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-1R5M-EF 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

1.5 uH 20 % 435 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-1R5M-EFD 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1.5 uH SMD/SMT AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-1R5M-EFR 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1.5 uH 20 % 435 mA SMD/SMT + 105 C