신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 40mA, 1 H, 640mO 16,627재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

1 uH 10 % 40 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 0402 0.39uH 5% AEC-Q200 8,115재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

390 nH 5 % 130 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 0402 1.8uH 5% AEC-Q200 11,258재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

1.8 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 0402 1.0uH 5% AEC-Q200 12,483재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

1 uH 5 % 40 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 0402 2.2uH 5% AEC-Q200 12,317재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

2.2 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 68uH 3.64ohms 140mA Wound Ferrite 13,290재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

68 uH 10 % 140 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD 0402 1.5uH 5% AEC-Q200 14,189재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

1.5 uH 5 % 35 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 0402 0.39uH 5% AEC-Q200 9,112재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

390 nH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.27 H, 910mO 9,240재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

270 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD TDK 10,349재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

390 nH 5 % 130 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 22uH 0.77ohms 300mA 3.2x2.5mm AEC-Q200 11,388재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

22 uH 10 % 300 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 45mA, 0.68 H, 550mO 13,309재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

680 nH 10 % 45 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 180mA, 0.1 H, 510mO 11,824재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

100 nH 10 % 180 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 0402 0.18uH 5% AEC-Q200 7,958재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

180 nH 5 % 160 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .33 UH 10% 9,225재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

330 nH 5 % 140 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 4.7uH 1.6ohms 30mA +/-10% Fer AEC-Q200 7,811재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

4.7 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 27uH 1.8ohms 2mA +/-10% Fer AEC-Q200 3,830재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

27 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 27uH 1.8ohms 2mA +/-20% Fer AEC-Q200 818재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

27 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 560nH 550mohms 150mA +/-10% Fer AEC-Q200 4,731재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

560 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.5 UH 20% 2,780재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.5 uH 10 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2.2uH 500mohms 50mA +/-10% Fer AEC-Q200 1,970재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

2.2 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2.7uH 550mohms 50mA +/-10% Fer AEC-Q200 1,420재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

2.7 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 270nH 600mohms 150mA +/-20% Fer AEC-Q200 633재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

270 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 220nH 550mohms 150mA +/-10% Fer AEC-Q200 15,291재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

220 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.15 H, 450mO 21,421재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

150 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C