신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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결과: 684
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.12 H, 200mO 8,120재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

120 nH 10 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.15 H, 200mO 868재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

150 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 150nH 200mohms 300mA +/-5% Fer AEC-Q200 1,909재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

150 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .15 UH 10% 448재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

150 nH 10 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 180nH 250mohms 300mA +/-5% Fer AEC-Q200 5,506재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

180 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.18 H, 250mO 3,715재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

180 nH 10 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.18 H, 250mO 1,941재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

180 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 180nH 250mohms 300mA +/-20% Fer AEC-Q200 3,912재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

180 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2012 0.22uH 5% 5,583재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

220 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 220nH 300mohms 250mA +/-5% Fer AEC-Q200 4,610재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

220 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .22 UH 20% 4,572재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

220 nH 10 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 220nH 300mohms 250mA +/-10% Fer AEC-Q200 3,873재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

220 nH 10 % 250 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 250mA, 0.27 H, 350mO 9,840재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

270 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 270nH 350mohms 250mA +/-5% Fer AEC-Q200 6,141재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

270 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 250mA, 0.27 H, 350mO 3,836재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

270 nH 10 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 250mA, 0.33 H, 400mO 4,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

330 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 330nH 400mohms 250mA +/-5% Fer AEC-Q200 2,307재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

330 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .33 UH 10% 13,632재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

330 nH 10 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD .39 UH 5% 5,844재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

390 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 390nH 450mohms 200mA +/-5% Fer AEC-Q200 4,648재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

390 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 390nH 450mohms 200mA +/-10% Fer AEC-Q200 380재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

390 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.47 H, 500mO 1,368재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

470 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2012 0.56uH 5% 3,565재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

560 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 560nH 550mohms 150mA +/-5% Fer AEC-Q200 3,146재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

560 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .56 UH 10% 8,026재고 상태
10,000예상 2026-03-04
최소: 1
배수: 1
: 2,000

560 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C