신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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결과: 684
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK RF 인덕터 - SMD 2012 2.7uH 5% 2,822재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

2.7 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2.7 UH 10% 2,543재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

2.7 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 50mA, 3.3 H, 600mO 5,426재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 3.3uH 600mohms 50mA +/-5% Fer AEC-Q200 553재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 3.3 UH 10% 19,050재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 3.3uH 2,385재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 3.9 UH 5% 4,743재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.9 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 0805 3.9uH 10% 49재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.9 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 3.9uH 650mohms 30mA +/-10% Fer AEC-Q200 1,911재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.9 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 30mA, 4.7 H, 700mO 9,847재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

4.7 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 4.7uH 700mohms 30mA +/-5% Fer AEC-Q200 2,976재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

4.7 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 4.7uH 700mohms 30mA +/-10% Fer AEC-Q200 3,975재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

4.7 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 4.7uH 2,015재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

4.7 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 100 UH 10% 10,437재고 상태
10,000예상 2026-03-16
최소: 1
배수: 1
: 2,000

100 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 100uH 3.1ohms 2mA +/-10% Fer AEC-Q200 5,785재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

100 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 100uH 4,197재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

100 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 85 C
TDK RF 인덕터 - SMD 100uH 3.1ohms 2mA +/-20% Fer AEC-Q200 1,970재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

100 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 15 UH 10% 15,005재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

15 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 15uH 700mohms 5mA +/-10% Fer AEC-Q200 1,739재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

15 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 5mA, 15 H, 700mO 1,978재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

15 uH 20 % 5 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 5mA, 18 H, 800mO 11,778재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

18 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 18uH 800mohms 5mA +/-10% Fer AEC-Q200 1,965재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

18 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 22 UH 10% 5,574재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

22 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 22uH 900mohms 5mA +/-10% Fer AEC-Q200 818재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

22 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 5mA, 27 H, 1O 2,995재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

27 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C