AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors

Abracon AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors are sized at 1.19mm x 0.51mm x 0.66mm with ceramic construction to assure the utmost thermal stability and high SRF. With exceptionally high Q compared to non-wirewound inductors (especially at high frequencies) and an operating temperature of -25°C to 85°C, the Abracon AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors offer inductance options from 1.0nH to 150nH. The AISC inductors are widely applied in VCO, SAW circuit for GSM, and CDMA communications and in hard disk, notebook computers, and other electronic equipment. The AISC series is available in case sizes 0402, 0603, 0805, 1008, 1206, 1210, 1210H, and 1812H.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 39.00 nH 1.000 A 120.00 mOhm 1,842재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

39 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON 파워 인덕터 - SMD IND 56.00 nH 0.700 A 230.00 mOhm 2,725재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

56 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 12.00 uH 0.400 A 1600.00 mOhm 1,741재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

12 uH 10 % 400 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 56.00 nH 0.360 A 350.00 mOhm 2,580재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

56 nH 5 % 360 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 27.00 nH 1.000 A 120.00 mOhm 204재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

27 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.12 uH 0.800 A 300.00 mOhm 2,017재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

120 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON 파워 인덕터 - SMD IND 5.10 nH 1.000 A 108.00 mOhm 2,380재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

5.1 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON 파워 인덕터 - SMD IND 0.15 uH 0.390 A 820.00 mOhm 2,479재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

150 nH 5 % 390 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 2.20 nH 0.600 A 100.00 mOhm 1,967재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

2.2 nH 10 % 600 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.27 uH 0.630 A 560.00 mOhm 1,547재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

270 nH 5 % 630 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON 파워 인덕터 - SMD IND 24.00 nH 1.100 A 80.00 mOhm 2,428재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

24 nH 5 % 1.1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON 파워 인덕터 - SMD IND 68.00 nH 0.650 A 280.00 mOhm 1,782재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

68 nH 5 % 650 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON 파워 인덕터 - SMD IND 72.00 nH 0.580 A 350.00 mOhm 2,968재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

72 nH 5 % 580 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.15 uH 0.200 A 1120.00 mOhm 2,219재고 상태
3,000예상 2026-05-19
최소: 1
배수: 1
: 3,000

150 nH 2 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.27 uH 0.120 A 3000.00 mOhm 2,983재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

270 nH 2 % 120 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 6.80 uH 0.120 A 3400.00 mOhm 864재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

6.8 uH 2 % 115 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 18.00 nH 0.600 A 200.00 mOhm 753재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

18 nH 2 % 600 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 39.00 nH 0.460 A 220.00 mOhm 1,707재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

39 nH 5 % 460 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 68.00 nH 0.350 A 380.00 mOhm 2,061재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

68 nH 5 % 350 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.22 uH 0.140 A 2100.00 mOhm 2,798재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

220 nH 5 % 140 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 18.00 nH 1.000 A 120.00 mOhm 1,742재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

18 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 6.80 nH 1.000 A 70.00 mOhm 1,691재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

6.8 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 0.68 uH 0.430 A 1580.00 mOhm 835재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

680 nH 5 % 430 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON 파워 인덕터 - SMD IND 18.00 nH 1.200 A 78.00 mOhm 3,663재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

18 nH 5 % 1.2 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON 파워 인덕터 - SMD IND 43.00 nH 0.810 A 170.00 mOhm 2,220재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

43 nH 5 % 810 mA SMD/SMT + 125 C