Broadcom Limited 광 트랜지스터

결과: 15
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 패키지/케이스 장착 스타일 피크 파장 최대 온 상태 콜렉터 전류 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 항복 전압 콜렉터-이미터 포화 전압 암전류 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈
Broadcom / Avago 광 트랜지스터 IR PT Lamp,3mm, 960nm,24deg 13,480재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Phototransistors Through Hole 920 nm 23 mA 30 V 400 mV 100 nA 150 mW - 40 C + 85 C
Broadcom / Avago 광 트랜지스터 IR PT Lamp,3mm, 960nm,50deg 13,983재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Phototransistors Through Hole 920 nm 11 mA 30 V 400 mV 100 nA 150 mW - 40 C + 85 C
Broadcom / Avago 광 트랜지스터 Chip,R/angle, PT,940nm 12,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Broadcom / Avago 광 트랜지스터 Chip,R/angle, PD,940nm 9,000재고 상태
최소: 1
배수: 1

940 nm HSD9
Broadcom / Avago 광 트랜지스터 Chip,Top Mt,PD,940nm 6,000재고 상태
최소: 1
배수: 1

940 nm HSD9
Broadcom / Avago 광 트랜지스터 Chip,Top Mt,PT,940nm 11,386재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Phototransistors 0805 (2012 metric) SMD/SMT 940 nm 20 mA 30 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 85 C HST9
Broadcom / Avago 광 트랜지스터 Chip,Top Mt,PT,940nm 8,990재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

HST9
Broadcom / Avago 광 트랜지스터 Chip,Top Mt,PT,940nm 7,798재고 상태
최소: 1
배수: 1

Phototransistors 1206 (3216 metric) SMD/SMT 940 nm 20 A 30 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 85 C HST9
Broadcom / Avago 광 트랜지스터 Chip,R/angle, PT,940nm 8,417재고 상태
최소: 1
배수: 1

Phototransistors 3.0 mm x 2.0 mm x 1 mm SMD/SMT 970 nm 20 A 400 mV 30 V 100 nA 100 mW - 40 C + 85 C HST9
Broadcom / Avago 광 트랜지스터 Chip,Top Mt,PT,940nm 8,955재고 상태
최소: 1
배수: 1

HST9
Broadcom / Avago HST6-C190
Broadcom / Avago 광 트랜지스터 Chip,Top Mt,PT,630nm 12,000재고 상태
최소: 1
배수: 1

HST6
Broadcom / Avago HLPT-B5D0-00000
Broadcom / Avago 광 트랜지스터 IR PT Lamp,5mm, 960nm,20deg 비재고 리드 타임 52 주
최소: 12,000
배수: 2,000

Broadcom / Avago HLPT-B5G0-00000
Broadcom / Avago 광 트랜지스터 IR PT Lamp,5mm, 960nm,50deg 비재고 리드 타임 52 주
최소: 12,000
배수: 2,000

Broadcom / Avago HLPT-B5K0-00000
Broadcom / Avago 광 트랜지스터 IR PT Lamp,5mm, 960nm,80deg 비재고 리드 타임 52 주
최소: 12,000
배수: 2,000

Broadcom / Avago HST9-B400
Broadcom / Avago 광 트랜지스터 Chip,R/angle, PT,940nm 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

Phototransistors 1206 (3216 metric) SMD/SMT 920 nm 20 mA 30 V 30 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 85 C