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이산 반도체의 유형

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적용된 필터:

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IXYS X4-Class 전력 MOSFET

02-02-2026

- 향상된 효율성으로 저온 상태 저항과 전도 손실을 제공합니다.

IXYS DP 고전압, 고속 복구 다이오드

01-20-2026

- 역 누설 전류가 낮고 복구 시간이 빠른 600 V 또는 1 200 V 쇼트 키 다이오드입니다.

IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 전력 MOSFET

10-08-2025

- Ceramic-based isolated package improves overall Rth(j-s) and power handling capability.

IXYS IXSxNxL2Kx 실리콘 카바이드 (SiC) MOSFET

09-19-2025

- 이 장치는 낮은 온 상태 저항 [RDS (on)]과 함께 높은 차단 전압을 제공합니다.

IXYS IXSJxN120R1K 1 200 V SiC 전력 MOSFET

08-27-2025

- 18 mΩ 또는 36 mΩ의 낮은 RDS (on)으로 최대 1 200 V 차단 전압을 제공합니다.

IXYS Dx 시리즈 자동차용 실리콘 정류기

04-14-2025

- Features glass-passivated junctions, ensuring stable operation and high reliability.

IXYS DCK SiC 쇼트키 다이오드

04-03-2025

- 고주파 작동 및 높은 서지 전류 성능이 특징입니다.

IXYS MCMA140PD1800TB 사이리스터 다이오드 모듈

03-25-2025

- 140A diode module, integrated with a planar passivated chip and offers long-term stability.

IXYS IXFP34N65X2W 전력 MOSFET

03-17-2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET

03-06-2025

- Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.

IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET

03-06-2025

- Single-switch MOSFET that features 1200V, 30mΩ, 79A industrial-grade device in a TO263-7L package.

IXYS IXFH34N65X2W 전력 MOSFET

02-27-2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS IXFH46N65X2W 전력 MOSFET

02-27-2025

- 650V, 69mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET

02-18-2025

- 1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET

02-18-2025

- 1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET

11-28-2024

- 200V의 정격 전압, 340A ~ 500A의 전류 범위, SOT-227B 패키지를 제공합니다.

IXYS DPF100C1200HB 1 200 V, 2x 50 A 고속 복구 다이오드

11-22-2024

- 공통 음극 구성 및 TO-247 패키지로 제공되는 범용 전원 스위칭 다이오드 2개.

IXYS Gen5 XPT IGBT

07-25-2024

- Offers a rated voltage of 650V, a current range of 35A to 220A, and a low gate charge.

IXYS DPF30U200FC 200V 30A 3-상 브리지 정류기

07-22-2024

- 이 장치는 일반적으로 SMPS(스위치 모드 전원 공급 장치)의 정류기로 사용됩니다.

IXYS DSEP60-06AZ 600V 60A 고속 복구 다이오드

07-08-2024

- TO-268AA(D3PAK-HV) 패키지로 제공되는 고성능, 저손실, 소프트 복구 단일 다이오드입니다.

IXYS SRU6008DS2RP 민감성 SCR

02-19-2024

- 600 V 높은 순방향 차단 SCR, 고전압 커패시터 방전 애플리케이션에 이상적임.

IXYS MPA 95-06DA FRED 모듈

01-18-2024

- 고주파 스위칭 장치를 위한 평면 부동태화 칩과 낮은 스위칭 손실이 특징입니다.

IXYS MCMA140P1600TA-NI 사이리스터 모듈

01-18-2024

- 평면 부동태화 칩과 라인 주파수를 위한 직접 구리 결합 AI2O3-세라믹이 특징입니다.

IXYS DMA80I1600HA 단일 다이오드 정류기

08-11-2022

- 평면 부동태화 칩, 낮은 누설 전류 및 낮은 순방향 전압 강하가 특징입니다.

IXYS STP802U2SRP 1.5A 민감한 이중 SCR

08-10-2022

- 낮은 턴오프(tq) 시간과 1.5ARMS 온 상태 전류로 높은 정적 dV/dt를 제공합니다.

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필터링 기준:

Diodes Incorporated DTHP60B07PT60 A 초고속 평면 정류기

03-13-2026

- 650 V 역전압, 낮은 순방향 전압 강하, 초고속 역회복 시간이 특징입니다.

onsemi NVMFD5873NL Dual N-Channel Power MOSFETs

03-13-2026

- Designed for compact and efficient designs, including high thermal performance.

Micro Commercial Components (MCC) BAT46L2 Schottky Diode

03-12-2026

- 150mW small-signal Schottky diode designed for high‑speed switching applications.

Texas Instruments TVS2210 Flat-Clamp Surge Protection Device

03-12-2026

- Designed to robustly shunt up to 25A of fault current to protect from transients or lightning.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Littelfuse SP1120-01WTG 단방향 이산 TVS 다이오드

03-09-2026

- 독점 실리콘 애벌랜치 기술로 전자 장비에 높은 ESD 보호 기능을 제공합니다.

Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT

03-09-2026

- Designed for demanding L‑Band applications, operating across the 1.0GHz to 1.5GHz frequency range.

Diotec Semiconductor MMS3Z18BGW-AQ Zener Diode

03-06-2026

- Housed in a compact SOD‑323 surface‑mount package, providing a 300mW power dissipation.

Diotec Semiconductor MM3Z3V0-AQ Zener Diode

03-06-2026

- Offers a 300mW power dissipation rating and comes in a compact SOD‑323F surface‑mount package.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03-06-2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Diotec Semiconductor BZX84B4V3-AQ Zener Diode

03-06-2026

- Features 4.3V nominal Zener voltage with ±2% tolerance and 3μA leakage current at 1V.

Diotec Semiconductor SIT04C065 SiC Schottky Diode

03-06-2026

- Supports a 650V repetitive peak reverse voltage and delivers a 4A average forward rectified current.

Diotec Semiconductor BZX84B20-AQ Zener Diode

03-06-2026

- Features 20V nominal Zener voltage, 0.050µA leakage current, and 55Ω dynamic resistance.

Diotec Semiconductor MM5Z6V8B-AQ Zener Diode

03-06-2026

- Housed in an ultra‑small SOD‑523 surface‑mount package and AEC‑Q101 qualified.

Diotec Semiconductor TPSMA6L20A-AQ TVS Diode

03-06-2026

- AEC‑Q101 qualified unidirectional diode built in compact SMAF (DO‑221AC) low‑profile package.

EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03-05-2026

- Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.

Infineon Technologies N-채널 OptiMOS™ 7 80V 전력 MOSFET

03-05-2026

- 우수한 열 저항성을 제공하는 80V, N-채널, 정상 레벨 장치로서 PG‑TDSON‑8 패키지로 제공됩니다.

EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03-05-2026

- Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.

Littelfuse Sx4340L TVS 다이오드 어레이

03-05-2026

- 0.55pF의 초저정전 용량을 제공하며 공간 절약형 SOD882 패키지로 제공됩니다.

EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03-05-2026

- Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.

Diotec Semiconductor BAT54WT Schottky Diode

03-03-2026

- Designed for high-speed switching, low junction capacitance, and low leakage current.

Diotec Semiconductor SB1100 Schottky Diode

03-03-2026

- Offer low voltage forward drop making it suitable for output rectification and polarity protection.

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이산 반도체의 유형

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