Texas Instruments 최신 제품 디스크리트 반도체

이산 반도체의 유형
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Texas Instruments TSDx-Q1 단방향 TVS 다이오드
Texas Instruments TSDx-Q1 단방향 TVS 다이오드
10-10-2025
자동차 애플리케이션을 위해 설계되어 ESD 및 서지와 같은 유해한 과도 상태를 클램핑합니다.
Texas Instruments MMBZxxVAL-Q1 공통 양극 제너 다이오드
Texas Instruments MMBZxxVAL-Q1 공통 양극 제너 다이오드
08-21-2025
공통 양극 구성의 듀얼 채널 단방향 또는 단일 채널 양방향 ESD.
Texas Instruments MMBZ30VCL/MMBZ30VCL-Q1 ESD 보호 다이오드
Texas Instruments MMBZ30VCL/MMBZ30VCL-Q1 ESD 보호 다이오드
03-18-2025
일반적인 음극 구성의 듀얼 채널 단방향 또는 단일 채널 양방향 ESD입니다.
Texas Instruments ESD501/ESD501-Q1 저정전용량 ESD 다이오드
Texas Instruments ESD501/ESD501-Q1 저정전용량 ESD 다이오드
03-18-2025
업계 표준인 0402 패키지로 제공되며 15kV의 IEC 61000-4-2 보호 수준을 제공합니다.
Texas Instruments BZX84Cx/BZX84Cx-Q1제너 전압 레귤레이터 다이오드
Texas Instruments BZX84Cx/BZX84Cx-Q1제너 전압 레귤레이터 다이오드
03-11-2025
이 장치는 총 전력 손실 250mW(최대)와±5%의 오차를 제공합니다.
Texas Instruments ESD801/ESD801-Q1 ESD 보호 다이오드
Texas Instruments ESD801/ESD801-Q1 ESD 보호 다이오드
01-29-2025
업계 표준인 0402 패키지로 제공은 IEC 61000-4-2 보호 수준인 15kV을 제공합니다.
Texas Instruments ESD701/ESD701-Q1 ESD 보호 다이오드
Texas Instruments ESD701/ESD701-Q1 ESD 보호 다이오드
01-29-2025
업계 표준인 0402패키지로 제공 & 은 IEC 61000-4-2 보호 수준 15 kV을 제공합니다.
Texas Instruments TSDxxC/TSDxxC-Q1양방향 TVS 다이오드
Texas Instruments TSDxxC/TSDxxC-Q1양방향 TVS 다이오드
12-23-2024
이러한 장치는 ESD 및 서지와 같은 유해한 과도 상태를 차단하도록 설계되었습니다.
Texas Instruments ESD601/ESD601-Q1 ESD 보호 다이오드
Texas Instruments ESD601/ESD601-Q1 ESD 보호 다이오드
11-05-2024
업계 표준 0402 패키지로 제공되며 15kV의 IEC 61000-4-2 보호 레벨을 제공합니다.
Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1 ESD 보호 다이오드
Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1 ESD 보호 다이오드
11-05-2024
이 장치는 ESD 및 서지와 같은 유해한 과도 현상을 해결하도록 설계되었습니다.
Texas Instruments TSM36CA 36 V 양방향 TVS 보호 다이오드
Texas Instruments TSM36CA 36 V 양방향 TVS 보호 다이오드
09-17-2024
이 장치는 ESD 및 서지와 같은 유해한 과도 상태를 억제하도록 설계되었습니다.
Texas Instruments ESDS452/ESDS452-Q1 양방향 ESD 및 TVS 다이오드
Texas Instruments ESDS452/ESDS452-Q1 양방향 ESD 및 TVS 다이오드
06-17-2024
IEC 61000-4-2에 지정된 최대 수준을 초과하는 ESD 충격을 소산하도록 정격되어 있습니다.
Texas Instruments ESD652/ESD652-Q1 ESD 보호 다이오드
Texas Instruments ESD652/ESD652-Q1 ESD 보호 다이오드
05-07-2024
2채널, 양방향 다이오드는 소형 리드형 SOT-23(DBZ) 패키지로 제공됩니다.
Texas Instruments ESD2CANx-Q1 ESD 보호 다이오드
Texas Instruments ESD2CANx-Q1 ESD 보호 다이오드
05-06-2024
CAN(Controller Area Network) 인터페이스 보호용 자동차, 2채널 양방향 다이오드입니다.
Texas Instruments ESD562/ESD562-Q1 ESD 보호 다이오드
Texas Instruments ESD562/ESD562-Q1 ESD 보호 다이오드
04-23-2024
IEC 61000-4-2 표준에 명시된 최대 수준 이상의 ESD 충격을 방출하도록 정격화되었습니다.
Texas Instruments ESDS552 양방향 ESD/서지 보호 다이오드
Texas Instruments ESDS552 양방향 ESD/서지 보호 다이오드
04-23-2024
IEC 61000-4-2 표준에 명시된 최대 수준 이상으로 ESD 충격을 방출하도록 정격 지정되어 있습니다.
Texas Instruments TSM24B 단방향 서지 보호 다이오드
Texas Instruments TSM24B 단방향 서지 보호 다이오드
12-19-2023
이 장치는 최대 20A의 IEC 61000-4-5 결함 전류를 강력하게 차단합니다.
Texas Instruments TSM24A/TSM24A-Q1 24V 단방향 TVS 다이오드
Texas Instruments TSM24A/TSM24A-Q1 24V 단방향 TVS 다이오드
11-13-2023
최대 60A의 IEC 61000-4-5 오류 전류, 고전력 과도 또는 낙뢰로부터 보호
Texas Instruments TSM24CA/TSM24CA-Q1 24V 양방향 TVS 다이오드
Texas Instruments TSM24CA/TSM24CA-Q1 24V 양방향 TVS 다이오드
11-13-2023
최대 30A의 IEC 61000-4-5 오류 전류, 낙뢰 또는 고전력 과도 현상으로부터 보호
Texas Instruments TSD05/TSD05C/TSD36C 서지 보호 장치
Texas Instruments TSD05/TSD05C/TSD36C 서지 보호 장치
09-19-2023
이러한 장치는 ESD 및 서지와 같은 유해한 과도 상태를 차단하도록 설계되었습니다.
Texas Instruments ESD451 ±30kV ESD 보호 다이오드
Texas Instruments ESD451 ±30kV ESD 보호 다이오드
08-10-2023
데이터 라인 및 기타 I/O 포트를 보호하기 위한 양방향 ESD 보호 다이오드입니다.
Texas Instruments ESD441 ±30kV ESD 보호 장치
Texas Instruments ESD441 ±30kV ESD 보호 장치
08-10-2023
데이터 라인 및 기타 I/O 포트를 보호하기 위한 단방향 ESD 보호 다이오드입니다.
Texas Instruments ESD1LIN24/ESD1LIN24-Q1 ESD 보호 다이오드
Texas Instruments ESD1LIN24/ESD1LIN24-Q1 ESD 보호 다이오드
02-09-2023
LIN(local interconnect network)용 1채널 저정전용량 양방향 ESD 보호 장치입니다.
Texas Instruments ULN2803C 50V 500mA 8채널 달링턴 어레이
Texas Instruments ULN2803C 50V 500mA 8채널 달링턴 어레이
02-06-2023
유도성 부하의 전환을 위한 공통 캐소드 클램프 다이오드가 있는 고전압 출력부가 특징입니다.
Texas Instruments ESD751/Q1 및 ESD761/Q1 ESD 보호 다이오드
Texas Instruments ESD751/Q1 및 ESD761/Q1 ESD 보호 다이오드
02-02-2023
USB 전력 공급(USB-PD)을 위한 단일 채널 저정전 용량 양방향 ESD 보호 장치.
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    Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD 정류기
    Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD 정류기
    02-10-2026
    이 장치는 일반적인 높이가 0.88mm에 불과한 로우 프로파일 패키지로 제공됩니다.
    Littelfuse CMA160E1600HF 단일 사이리스터
    Littelfuse CMA160E1600HF 단일 사이리스터
    02-06-2026
    고성능160A, 1600V은 PLUS247 패키지에 평면 패시베이션 칩 구조가 특징입니다.
    TDK-Lambda i1R O 링 MOSFET 모듈
    TDK-Lambda i1R O 링 MOSFET 모듈
    02-05-2026
    기존 다이오드를 대체 하도록 설계된 고효율 및 저 손실 전력 장치 입니다.
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    02-03-2026
    Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02-03-2026
    Designed for demanding power conversion applications
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    02-03-2026
    Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
    Vishay 고전력 탄화 규소 쇼트키 다이오드
    Vishay 고전력 탄화 규소 쇼트키 다이오드
    02-03-2026
    까다로운 전력 전자 애플리케이션에서 탁월한효율성, 견고성 및 신뢰성을 제공합니다.
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02-03-2026
    Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
    IXYS X4-Class 전력 MOSFET
    IXYS X4-Class 전력 MOSFET
    02-02-2026
    향상된 효율성으로 저온 상태 저항과 전도 손실을 제공합니다.
    Qorvo QPD1014A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    Qorvo QPD1014A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    01-20-2026
    30MHz~1.2GHz에서 작동하는 15W(P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.
    IXYS DP 고전압, 고속 복구 다이오드
    IXYS DP 고전압, 고속 복구 다이오드
    01-20-2026
    역 누설 전류가 낮고 복구 시간이 빠른 600 V 또는 1 200 V 쇼트 키 다이오드입니다.
    Qorvo QPD1011A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    Qorvo QPD1011A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    01-19-2026
    30MHz~1.2GHz에서 작동하는 7W (P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.
    Qorvo QPD1004A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    Qorvo QPD1004A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    01-19-2026
    SiC HEMT 사이드 25W, 50Ω 입력 정합 이산 질화갈륨은 50V 전원 레일에서 30MHz~1,400MHz 범위에서 작동합니다.
    Littelfuse SM15KPA-HRA 및 SM30KPA-HRA 고신뢰성 다이오드
    Littelfuse SM15KPA-HRA 및 SM30KPA-HRA 고신뢰성 다이오드
    01-13-2026
    항전, 항공 및 eVTOL 애플리케이션에서 I/O 인터페이스, VCC 버스 및 기타 회로를 보호합니다.
    Littelfuse SP432x-01WTG TVS 다이오드
    Littelfuse SP432x-01WTG TVS 다이오드
    01-08-2026
    초저 정전 용량, 양방향 작동 및 높은 수준의 보호 기능 제공.
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET
    12-26-2025
    이 장치는 TCPAK1012(TopCool) 패키지에 낮은 QRR 및 소프트 복구 보디 다이오드를 제공합니다.
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V 전력 MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V 전력 MOSFET
    12-23-2025
    폭넓은 포트폴리오 제공으로 업계 벤치마크 성능을 설정합니다.
    Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET
    12-19-2025
    전기차(EV) 애플리케이션의 까다로운 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다.
    onsemi NVMFD5877NL 듀얼 N채널 MOSFET
    onsemi NVMFD5877NL 듀얼 N채널 MOSFET
    12-19-2025
    높은 열 성능을 포함하여 컴팩트하고 효율적인 설계를 위해 설계되었습니다.
    onsemi NxT2023N065M3SEliteSiC MOSFET
    onsemi NxT2023N065M3SEliteSiC MOSFET
    12-04-2025
    낮은 유효 출력 정전용량과 초저 게이트 전하가 특징입니다.
    STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN 트랜지스터
    STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN 트랜지스터
    12-04-2025
    고효율 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계된 E-Mode PowerGaN 트랜지스터입니다.
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 이산 트랜지스터
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 이산 트랜지스터
    12-01-2025
    DTO247 패키지는 병렬로 연결된 여러 저전류 TO247 패키지 트랜지스터를 대체합니다.
    onsemi FDC642P-F085 소신호 MOSFET
    onsemi FDC642P-F085 소신호 MOSFET
    11-25-2025
    매우 낮은 RDS (on) 및 빠른 스위칭 속도를 위한 고성능 트렌치 기술을 제공합니다.
    onsemi NTTFS007P02P8 P 채널 저전압/중전압 MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 P 채널 저전압/중전압 MOSFET
    11-25-2025
    극히 낮은 RDS (on) 스위칭 성능과 견고성을 위해 파워트렌치 기술을 사용하여 제작됩니다.
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11-24-2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
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