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Diodes Incorporated DTHP60B07PT60 A 초고속 평면 정류기
Diodes Incorporated DTHP60B07PT60 A 초고속 평면 정류기
03-13-2026
650 V 역전압, 낮은 순방향 전압 강하, 초고속 역회복 시간이 특징입니다.
Diodes Incorporated 5.0SMCJ1xCA 5000W 과도 전압 억제기
Diodes Incorporated 5.0SMCJ1xCA 5000W 과도 전압 억제기
10-31-2025
민감한 전자 회로를 전압 스파이크로부터 보호하도록 설계된 고전력 TVS 다이오드입니다.
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW 이중 N채널 E-모드 MOSFET
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW 이중 N채널 E-모드 MOSFET
10-31-2025
뛰어난 열 성능의 단일 PowerDI® 5mm x 6mm 패키지에 두 개의 MOSFET을 통합합니다.
Diodes Incorporated 2N7002 N-채널 E-모드 전계 효과 트랜지스터
Diodes Incorporated 2N7002 N-채널 E-모드 전계 효과 트랜지스터
10-31-2025
낮은 게이트 전하와 60V 최대 드레인-소스 전압으로 신속한 스위칭 성능을 제공합니다.
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N-채널 증가 모드 MOSFET
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N-채널 증가 모드 MOSFET
10-21-2025
뛰어난 스위칭 성능으로 고효율 전력 관리 애플리케이션에 이상적입니다.
Diodes Incorporated DTH1006P5 유리 부동태화 고속 복구 정류기
Diodes Incorporated DTH1006P5 유리 부동태화 고속 복구 정류기
10-13-2025
열 효율이 높은 PowerDI®5 패키지의 600 V 피크 반복 역전압(VRRM) 정류기입니다.
Diodes Incorporated DXTP80x PNP 양극성 트랜지스터
Diodes Incorporated DXTP80x PNP 양극성 트랜지스터
09-18-2025
PNP 양극성 트랜지스터는 소형 폼 팩터와 열 효율이 높은 PowerDI 3333-8 패키지를 제공합니다.
Diodes Incorporated DXTN80x NPN 양극성 트랜지스터
Diodes Incorporated DXTN80x NPN 양극성 트랜지스터
09-17-2025
고밀도 제품을 위한 소형 폼 팩터, 열 효율이 높은 PowerDI 3333-8 패키지를 제공합니다.
Diodes Incorporated DXTN/P 78Q 및 80Q 양극성 트랜지스터
Diodes Incorporated DXTN/P 78Q 및 80Q 양극성 트랜지스터
07-24-2025
탁월한 전도 효율과 열 성능으로 30 V, 60 V 및 amp; 100 V 등급을 제공합니다.
Diodes Incorporated TT8M8 A 유리 부동태화 브리지 정류기
Diodes Incorporated TT8M8 A 유리 부동태화 브리지 정류기
05-01-2025
1000 V 최대 반복 피크 역전압과 8 A 평균 정류 출력 전류가 특징입니다.
Diodes Incorporated DSCxA065LP 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드
Diodes Incorporated DSCxA065LP 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드
02-20-2025
고온에서 우수한 역누출 안정성을 제공하는DFN8080 패키지입니다.
Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN 초저 VCE(SAT) 트랜지스터
Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN 초저 VCE(SAT) 트랜지스터
11-14-2024
초저 VCE(SAT) 성능을 달성하는 독자적인 구조가 특징입니다.
Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V N-Ch 증가 모드 MOSFET
Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V N-Ch 증가 모드 MOSFET
10-01-2024
열적으로 효율적인 소형 폼 팩터 패키지로 낮은 온저항을 제공합니다.
Diodes Incorporated DMN2992UFA20 VN-Ch 향상 모드 MOSFET
Diodes Incorporated DMN2992UFA20 VN-Ch 향상 모드 MOSFET
08-01-2024
20 VRDS(ON)을 최소화하도록 설계된 N-Ch MOSFET은 X2-DFN0806-3 패키지로 제공됩니다.
Diodes Incorporated DT1042-02SRQ 2채널 저정전 용량 TVS 다이오드 어레이
Diodes Incorporated DT1042-02SRQ 2채널 저정전 용량 TVS 다이오드 어레이
07-01-2024
민감한 전자 제품을 ESD 손상으로부터 보호하도록 설계되었습니다.
Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1 200 V N-채널 전력 MOSFET
Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1 200 V N-채널 전력 MOSFET
06-24-2024
온 상태 저항을 최소화하고 우수한 스위칭 성능을 유지하도록 설계되었습니다.
Diodes Incorporated SxCMHQ AEC-Q101 유리 부동태화 정류기
Diodes Incorporated SxCMHQ AEC-Q101 유리 부동태화 정류기
06-04-2024
높은 전류 성능과 낮은 순방향 전압 강하를 제공합니다.
Diodes Incorporated DESD24VS2SOQ24 VCAN/LIN 버스 보호장치
Diodes Incorporated DESD24VS2SOQ24 VCAN/LIN 버스 보호장치
06-01-2024
소형 표면 실장형 SOT23 패키지로 제공되는 ESD 및 서지 보호 장치입니다.
Diodes Incorporated DMP3014SFDE30 VP-Ch 향상 모드 MOSFET
Diodes Incorporated DMP3014SFDE30 VP-Ch 향상 모드 MOSFET
05-01-2024
스위칭 성능을 유지하면서 낮은 온저항 & 게이트 임계 전압을 제공합니다.
Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80V PNP 중간 전력 트랜지스터
Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80V PNP 중간 전력 트랜지스터
05-01-2024
설치 공간이 SOT-23 패키지보다 50% 작은 DFN2020-3 패키지로 제공됩니다.
Diodes Incorporated DMT26M0LDG 비대칭 이중 N-채널 MOSFET
Diodes Incorporated DMT26M0LDG 비대칭 이중 N-채널 MOSFET
04-01-2024
온 상태 저항[RDS(ON)을 최소화하면서도 우수한 스위칭 성능을 유지하도록 설계되었습니다.
Diodes Incorporated US1NDFQ 1A 표면 실장 초고속 정류기
Diodes Incorporated US1NDFQ 1A 표면 실장 초고속 정류기
03-01-2024
일반적인 정류 애플리케이션에서 고효율을 달성하기 위해 매우 빠른 회복 시간을 제공합니다.
Diodes Incorporated DESDxxVxS2UTQ2 채널 단방향 TVS 다이오드
Diodes Incorporated DESDxxVxS2UTQ2 채널 단방향 TVS 다이오드
01-01-2024
민감한 전자기기를 ESD로 인한 손상으로부터 보호하도록 설계되었습니다.
Diodes Incorporated DMP68D1LV 이중 P-채널 향상 모드 MOSFET
Diodes Incorporated DMP68D1LV 이중 P-채널 향상 모드 MOSFET
01-01-2024
우수한 스위칭 성능을 유지하면서 낮은 온저항과 입력 커패시턴스를 제공합니다.
Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 1200V N채널 SiC 전력 MOSFET
Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 1200V N채널 SiC 전력 MOSFET
06-02-2023
온 상태 저항을 최소화하면서도 우수한 스위칭 성능을 유지하도록 설계되었습니다.
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    Texas Instruments 2N7002L 6V N채널 MOSFET
    Texas Instruments 2N7002L 6V N채널 MOSFET
    05-18-2026
    빠른 스위칭 성능을 유지하면서 온 상태 저항을 최소화하도록 설계되었습니다.
    Bourns CDSOT23-SM712-Q 표면 실장 TVS 다이오드
    Bourns CDSOT23-SM712-Q 표면 실장 TVS 다이오드
    05-12-2026
    IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 및 IEC 61000-4-5에 따라 데이터 포트에 대한 보호 기능을 제공합니다.
    Infineon Technologies CIPOS™ Prime 자동차 CoolSiC™ 파워 모듈
    Infineon Technologies CIPOS™ Prime 자동차 CoolSiC™ 파워 모듈
    05-06-2026
    파워 모듈은 xEV 애플리케이션에서 고성능을 발휘하도록 설계되었습니다.
    Littelfuse AK-FL TVS 다이오드
    Littelfuse AK-FL TVS 다이오드
    05-04-2026
    축형 리드, FlatSuppressX™ 평면 및 낮은 클램핑 양방향 TVS 다이오드.
    Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS 다이오드
    Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS 다이오드
    05-04-2026
    전자 장비를 전압 변동으로부터 보호하기 위해 특별히 설계되었습니다.
    Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS 다이오드
    Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS 다이오드
    05-04-2026
    10/1,000µs 파형을 사용하여 5,000W 피크 펄스 전력 기능 및 6.5W 전력 손실을 제공합니다.
    Littelfuse QVx35xHx 고온 Alternistor 트라이액
    Littelfuse QVx35xHx 고온 Alternistor 트라이액
    04-24-2026
    35A 정격 전류를 제공하며, TO-220AB, TO-220 절연형, TO-263 패키지로 제공됩니다.
    Littelfuse SJx08x 고온 SCR
    Littelfuse SJx08x 고온 SCR
    04-24-2026
    최대 800V의 전압, 최대 100A의 서지 전류 성능, +150°C의 정격 온도.
    RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
    RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
    04-24-2026
    Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    04-16-2026
    Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
    onsemi NVBYST0D8N08X 단일 N-채널 전력 MOSFET
    onsemi NVBYST0D8N08X 단일 N-채널 전력 MOSFET
    04-14-2026
    고전압 작동에 최적화되어 있으며 빠른 스위칭과 고전류 스트레스를 견딜 수 있습니다.
    ROHM Semiconductor 고밀도 SiC 전력 모듈
    ROHM Semiconductor 고밀도 SiC 전력 모듈
    04-10-2026
    TRCDRIVE pack™, DOT-247 및 HSDIP20 패키지는 고성능 전력 변환(high-performance power conversion)에 기여합니다.
    Vishay RS07x 고속 복구 정류기
    Vishay RS07x 고속 복구 정류기
    04-07-2026
    최대 VRRM이 100 V ~ 800 V인 유리 패시베이션 표면 실장 정류기입니다.
    Vishay S07x-M표준복구고압정류기
    Vishay S07x-M표준복구고압정류기
    04-07-2026
    최대 VRRM이 100 V ~ 1 000 V인 유리 패시베이션 표면 실장 정류기입니다.
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    04-07-2026
    Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    04-06-2026
    고속 스위칭 애플리케이션을 위해 낮은 Rg로 설계된 이중 N-채널 MOSFET.
    Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
    Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
    04-02-2026
    High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
    Vishay VS-HOT200C080 200 A 80 V 전력 MOSFET 모듈
    Vishay VS-HOT200C080 200 A 80 V 전력 MOSFET 모듈
    04-02-2026
    이 장치는 표준 개별 소자 솔루션과 비교하여 회로 기판 공간 요구 사항을 최대 15%까지 줄여줍니다.
    Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
    Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
    04-02-2026
    AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
    STMicroelectronics STL059N4S8AG 전력 MOSFET
    STMicroelectronics STL059N4S8AG 전력 MOSFET
    03-31-2026
    Smart STripFET F8 기술로 설계된 40V N-채널 증가 모드 전력 MOSFET입니다.
    Toshiba N 채널/P 채널 전력 MOSFET
    Toshiba N 채널/P 채널 전력 MOSFET
    03-31-2026
    고속 스위칭, 전원 관리 스위치, DC-DC 컨버터 및 모터 드라이버에 이상적입니다.    
    Infineon Technologies ESD 보호용 다목적 다이오드
    Infineon Technologies ESD 보호용 다목적 다이오드
    03-27-2026
    작은 설치 공간에 최상의 보호 기능을 제공하는 이 다이오드는 우수한 ESD 성능을 제공합니다.
    Infineon Technologies N-채널 OptiMOS™ 7 25V 전력 MOSFET
    Infineon Technologies N-채널 OptiMOS™ 7 25V 전력 MOSFET
    03-27-2026
    애플리케이션에 최적화된 성능을 제공하여 데이터 센터, 서버 및 AI를 위한 피크 성능을 구현합니다.
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60 V 전력 MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60 V 전력 MOSFET
    03-27-2026
    강력한 전력 MOSFET 기술을 통해 OptiMOS 5보다 우수한 성능을 제공합니다. 
    RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers
    RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers
    03-24-2026
    Compact and ideal for micro-power isolated power supply applications with limited space.
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