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이산 반도체의 유형

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SanRex TMG Through Hole Standard Gate Triacs

04-25-2024

- Used in phase controls and solid-state switching for industrial and home appliance applications.

SanRex GSA IGBT Modules

08-01-2022

- IGBT modules offer a low Vce(sat) type and a high-speed switching type with SOT-227 package.

보기: 1 - 2/2

필터링 기준:

Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode

02-19-2026

- Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.

Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1-Line 53V EOS Protection IC

02-18-2026

- Provides high-energy EOS protection with superior temperature and clamping characteristics.

Vishay SE45124/SE50124 SMD 고전압 정류기

02-17-2026

- 이 장치는 우수한 방열 및 높은 서지 전류 성능이 특징입니다.

Vishay KBPE0480 단일 인라인 브리지 정류기

02-16-2026

- 이 장치는 낮은 순방향 전압 강하가 특징이며 KBP 패키지로 제공됩니다.

Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD 정류기

02-10-2026

- 이 장치는 일반적인 높이가 0.88mm에 불과한 로우 프로파일 패키지로 제공됩니다.

Littelfuse CMA160E1600HF 단일 사이리스터

02-06-2026

- 평면 부동태화 칩 구조가 특징인 고성능 160 A, 1 600 V장치로 PLUS247 패키지로 제공됩니다.

TDK-Lambda i1R O 링 MOSFET 모듈

02-05-2026

- 기존 다이오드를 대체 하도록 설계된 고효율 및 저 손실 전력 장치 입니다.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02-03-2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02-03-2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02-03-2026

- Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay 고전력 탄화 규소 쇼트키 다이오드

02-03-2026

- 까다로운 전력 전자 애플리케이션에서 탁월한효율성, 견고성 및 신뢰성을 제공합니다.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02-03-2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

IXYS X4-Class 전력 MOSFET

02-02-2026

- 향상된 효율성으로 저온 상태 저항과 전도 손실을 제공합니다.

IXYS DP 고전압, 고속 복구 다이오드

01-20-2026

- 역 누설 전류가 낮고 복구 시간이 빠른 600 V 또는 1 200 V 쇼트 키 다이오드입니다.

Qorvo QPD1014A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터

01-20-2026

- 30MHz~1.2GHz에서 작동하는 15W(P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.

Qorvo QPD1011A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터

01-19-2026

- 30MHz~1.2GHz에서 작동하는 7W (P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.

Qorvo QPD1004A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터

01-19-2026

- SiC HEMT 사이드 25W, 50Ω 입력 정합 이산 질화갈륨은 50V 전원 레일에서 30MHz~1,400MHz 범위에서 작동합니다.

Littelfuse SM15KPA-HRA 및 SM30KPA-HRA 고신뢰성 다이오드

01-13-2026

- 항전, 항공 및 eVTOL 애플리케이션에서 I/O 인터페이스, VCC 버스 및 기타 회로를 보호합니다.

Littelfuse SP432x-01WTG TVS 다이오드

01-08-2026

- 초저 정전 용량, 양방향 작동 및 높은 수준의 보호 기능 제공.

onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET

12-26-2025

- 이 장치는 TCPAK1012(TopCool) 패키지에 낮은 QRR 및 소프트 복구 보디 다이오드를 제공합니다.

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V 전력 MOSFET

12-23-2025

- 폭넓은 포트폴리오 제공으로 업계 벤치마크 성능을 설정합니다.

Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET

12-19-2025

- 전기차(EV) 애플리케이션의 까다로운 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다.

onsemi NVMFD5877NL 듀얼 N채널 MOSFET

12-19-2025

- 높은 열 성능을 포함하여 컴팩트하고 효율적인 설계를 위해 설계되었습니다.

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN 트랜지스터

12-04-2025

- 고효율 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계된 E-Mode PowerGaN 트랜지스터입니다.

onsemi NxT2023N065M3SEliteSiC MOSFET

12-04-2025

- 낮은 유효 출력 정전용량과 초저 게이트 전하가 특징입니다.

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