이산 반도체의 유형
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onsemi NVBYST0D8N08X 단일 N-채널 전력 MOSFET
onsemi NVBYST0D8N08X 단일 N-채널 전력 MOSFET
04-14-2026
고전압 작동에 최적화되어 있으며 빠른 스위칭과 고전류 스트레스를 견딜 수 있습니다.
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04-06-2026
고속 스위칭 애플리케이션을 위해 낮은 Rg로 설계된 이중 N-채널 MOSFET.
onsemi NVMFD5873NL 듀얼 N-채널 전력 MOSFET
onsemi NVMFD5873NL 듀얼 N-채널 전력 MOSFET
03-13-2026
높은 열 성능을 포함하여 컴팩트하고 효율적인 설계를 위해 설계되었습니다.
onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET
12-26-2025
이 장치는 TCPAK1012(TopCool) 패키지에 낮은 QRR 및 소프트 복구 보디 다이오드를 제공합니다.
onsemi NVMFD5877NL 듀얼 N채널 MOSFET
onsemi NVMFD5877NL 듀얼 N채널 MOSFET
12-19-2025
높은 열 성능을 포함하여 컴팩트하고 효율적인 설계를 위해 설계되었습니다.
onsemi NxT2023N065M3SEliteSiC MOSFET
onsemi NxT2023N065M3SEliteSiC MOSFET
12-04-2025
낮은 유효 출력 정전용량과 초저 게이트 전하가 특징입니다.
onsemi FDC642P-F085 소신호 MOSFET
onsemi FDC642P-F085 소신호 MOSFET
11-25-2025
매우 낮은 RDS (on) 및 빠른 스위칭 속도를 위한 고성능 트렌치 기술을 제공합니다.
onsemi NTTFS007P02P8 P 채널 저전압/중전압 MOSFET
onsemi NTTFS007P02P8 P 채널 저전압/중전압 MOSFET
11-25-2025
극히 낮은 RDS (on) 스위칭 성능과 견고성을 위해 파워트렌치 기술을 사용하여 제작됩니다.
onsemi NVD6824NL 단일 N- 채널 MOSFET
onsemi NVD6824NL 단일 N- 채널 MOSFET
11-20-2025
전도 손실과 높은 전류 성능을 최소화하기 위해 낮은 RDS (on)를 제공합니다.
onsemi NVD5867NL 단일 N-채널 전력 MOSFET
onsemi NVD5867NL 단일 N-채널 전력 MOSFET
11-20-2025
60 V 드레인-소스 전압, 39mΩ 드레인-소스 온 저항이 특징이며 AEC-Q101 인증을 받았습니다.
onsemi NVMFS5830NL 단일 N-채널 전력 MOSFET
onsemi NVMFS5830NL 단일 N-채널 전력 MOSFET
11-19-2025
까다로운 전력 관리 애플리케이션용으로 설계된 고효율 단일 N- 채널 전력 MOSFET입니다.
onsemi NVMFS5832NL 단일 N-채널 전력 MOSFET
onsemi NVMFS5832NL 단일 N-채널 전력 MOSFET
11-19-2025
효율적 인 전력 스위칭이 필요한 저전압 애플리케이션용으로 설계된 고성능 MOSFET입니다.
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
11-19-2025
전도 및 스위칭 손실이 낮은 높은 성능 지수를 제공합니다.
onsemi NZ8P Zener Protection Diodes
onsemi NZ8P Zener Protection Diodes
11-19-2025
ESD 및 과도 전압 이벤트로부터 민감한 전자 구성 요소를 보호하도록 설계되었습니다.
onsemi NVMFWS0D4N04XM 단일 N 채널 전력 MOSFET
onsemi NVMFWS0D4N04XM 단일 N 채널 전력 MOSFET
11-16-2025
5 mmx6 mm SO8-FL 패키지로 제공되며, 소형 설계와 AEC-Q101 인증을 갖추고 있습니다.
onsemi NTK3139P P-채널 싱글 전력 MOSFET
onsemi NTK3139P P-채널 싱글 전력 MOSFET
10-14-2025
설치 면적이 44% 더 작은 패키지로 제공되며 SC-89 패키지보다 38% 더 얇습니다.
onsemi NVNJWS200N031L 단일 N-채널 전력 MOSFET
onsemi NVNJWS200N031L 단일 N-채널 전력 MOSFET
10-14-2025
이 장치는 낮은 RDS(on) 및 낮은 게이트 임계값을 가지며 습식 측면으로 제공됩니다.
onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N-채널 필드 스톱 VII IGBT
onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N-채널 필드 스톱 VII IGBT
10-13-2025
이 장치는 낮은 온 상태 전압과 낮은 스위칭 손실로 우수한 성능을 제공합니다.
onsemi AFGBG70T65SQDCN-채널 필드 스톱 IV IGBT
onsemi AFGBG70T65SQDCN-채널 필드 스톱 IV IGBT
10-13-2025
이 장치는 낮은 전도 및 스위칭 손실로 최적의 성능을 제공합니다.
onsemi T10 저/중전압 MOSFET
onsemi T10 저/중전압 MOSFET
10-06-2025
향상된 성능과 향상된 시스템 효율성을 갖춘 40V 및 80V의 단일 N-채널 MOSFET.
onsemi MMQA/SZMMQA ESD 보호 다이오드
onsemi MMQA/SZMMQA ESD 보호 다이오드
09-23-2025
이러한 장치는 과도 과전압 보호 기능이 필요한 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.
onsemi NSBAMXW PNP 바이어스 저항기 트랜지스터
onsemi NSBAMXW PNP 바이어스 저항기 트랜지스터
09-09-2025
단일 장치와 관련 외부 저항기 바이어스 네트워크를 대체하도록 설계되었습니다.
onsemi NSBCMXW NPN 바이어스 저항 트랜지스터
onsemi NSBCMXW NPN 바이어스 저항 트랜지스터
09-08-2025
단일 장치와 관련 외부 저항 바이어스 네트워크를 대체하도록 설계되었습니다.
onsemi NTK3134N 단일 N-채널 전력 MOSFET
onsemi NTK3134N 단일 N-채널 전력 MOSFET
09-08-2025
견고한 20 V의 890 mA 고효율 스위칭 애플리케이션에 최적화된 N-채널 전력 MOSFET입니다.
onsemi SZMM3ZxT1G 자동차 제너 전압 레귤레이터
onsemi SZMM3ZxT1G 자동차 제너 전압 레귤레이터
09-05-2025
자동차 전자 시스템의 전압 조정 및 보호를 위해 설계되었습니다.
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    Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS Diode
    Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS Diode
    05-12-2026
    Provides protection for data ports in accordance with IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4, & IEC 61000-4-5.
    Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS 다이오드
    Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS 다이오드
    05-04-2026
    10/1,000µs 파형을 사용하여 5,000W 피크 펄스 전력 기능 및 6.5W 전력 손실을 제공합니다.
    Littelfuse AK-FL TVS 다이오드
    Littelfuse AK-FL TVS 다이오드
    05-04-2026
    축형 리드, FlatSuppressX™ 평면 및 낮은 클램핑 양방향 TVS 다이오드.
    Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS 다이오드
    Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS 다이오드
    05-04-2026
    전자 장비를 전압 변동으로부터 보호하기 위해 특별히 설계되었습니다.
    RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
    RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
    04-24-2026
    Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.
    Littelfuse SJx08x 고온 SCR
    Littelfuse SJx08x 고온 SCR
    04-24-2026
    최대 800V 전압, 최대 100A 서지 전류 처리 능력, 그리고 +150°C 온도 정격을 제공합니다.
    Littelfuse QVx35xHx 고온 알터니스터 트라이액
    Littelfuse QVx35xHx 고온 알터니스터 트라이액
    04-24-2026
    35A 정격 전류를 제공하며, TO-220AB, TO-220 절연형, TO-263 패키지로 제공됩니다.
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    04-16-2026
    Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
    onsemi NVBYST0D8N08X 단일 N-채널 전력 MOSFET
    onsemi NVBYST0D8N08X 단일 N-채널 전력 MOSFET
    04-14-2026
    고전압 작동에 최적화되어 있으며 빠른 스위칭과 고전류 스트레스를 견딜 수 있습니다.
    ROHM Semiconductor 고밀도 SiC 전력 모듈
    ROHM Semiconductor 고밀도 SiC 전력 모듈
    04-10-2026
    TRCDRIVE pack™, DOT-247 및 HSDIP20 패키지는 고성능 전력 변환(high-performance power conversion)에 기여합니다.
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    04-07-2026
    Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
    Vishay RS07x 고속 복구 정류기
    Vishay RS07x 고속 복구 정류기
    04-07-2026
    최대 VRRM이 100 V ~ 800 V인 유리 패시베이션 표면 실장 정류기입니다.
    Vishay S07x-M표준복구고압정류기
    Vishay S07x-M표준복구고압정류기
    04-07-2026
    최대 VRRM이 100 V ~ 1 000 V인 유리 패시베이션 표면 실장 정류기입니다.
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    04-06-2026
    고속 스위칭 애플리케이션을 위해 낮은 Rg로 설계된 이중 N-채널 MOSFET.
    Vishay VS-HOT200C080 200 A 80 V 전력 MOSFET 모듈
    Vishay VS-HOT200C080 200 A 80 V 전력 MOSFET 모듈
    04-02-2026
    이 장치는 표준 개별 소자 솔루션과 비교하여 회로 기판 공간 요구 사항을 최대 15%까지 줄여줍니다.
    Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
    Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
    04-02-2026
    High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
    Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
    Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
    04-02-2026
    AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
    STMicroelectronics STL059N4S8AG 전력 MOSFET
    STMicroelectronics STL059N4S8AG 전력 MOSFET
    03-31-2026
    Smart STripFET F8 기술로 설계된 40V N-채널 증가 모드 전력 MOSFET입니다.
    Toshiba N 채널/P 채널 전력 MOSFET
    Toshiba N 채널/P 채널 전력 MOSFET
    03-31-2026
    고속 스위칭, 전원 관리 스위치, DC-DC 컨버터 및 모터 드라이버에 이상적입니다.    
    Infineon Technologies ESD 보호용 다목적 다이오드
    Infineon Technologies ESD 보호용 다목적 다이오드
    03-27-2026
    작은 설치 공간에 최상의 보호 기능을 제공하는 이 다이오드는 우수한 ESD 성능을 제공합니다.
    Infineon Technologies N-채널 OptiMOS™ 7 25V 전력 MOSFET
    Infineon Technologies N-채널 OptiMOS™ 7 25V 전력 MOSFET
    03-27-2026
    애플리케이션에 최적화된 성능을 제공하여 데이터 센터, 서버 및 AI를 위한 피크 성능을 구현합니다.
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60 V 전력 MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60 V 전력 MOSFET
    03-27-2026
    강력한 전력 MOSFET 기술을 통해 OptiMOS 5보다 우수한 성능을 제공합니다. 
    iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    03-24-2026
    Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
    RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers
    RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers
    03-24-2026
    Compact and ideal for micro-power isolated power supply applications with limited space.
    Renesas Electronics TP65B110HRU 양방향 스위치(BDS)
    Renesas Electronics TP65B110HRU 양방향 스위치(BDS)
    03-20-2026
    650 V및 110mΩ일반적으로 꺼짐질화갈륨(GaN) BDS는 컴팩트한 TOLT패키지에 있음.
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