이산 반도체의 유형
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IXYS X4-Class 전력 MOSFET
IXYS X4-Class 전력 MOSFET
02-02-2026
향상된 효율성으로 저온 상태 저항과 전도 손실을 제공합니다.
IXYS DP 고전압, 고속 복구 다이오드
IXYS DP 고전압, 고속 복구 다이오드
01-20-2026
역 누설 전류가 낮고 복구 시간이 빠른 600 V 또는 1 200 V 쇼트 키 다이오드입니다.
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 전력 MOSFET
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 전력 MOSFET
10-08-2025
Ceramic-based isolated package improves overall Rth(j-s) and power handling capability.
IXYS IXSxNxL2Kx 실리콘 카바이드 (SiC) MOSFET
IXYS IXSxNxL2Kx 실리콘 카바이드 (SiC) MOSFET
09-19-2025
이 장치는 낮은 온 상태 저항 [RDS (on)]과 함께 높은 차단 전압을 제공합니다.
IXYS IXSJxN120R1K 1 200 V SiC 전력 MOSFET
IXYS IXSJxN120R1K 1 200 V SiC 전력 MOSFET
08-27-2025
18 mΩ 또는 36 mΩ의 낮은 RDS (on)으로 최대 1 200 V 차단 전압을 제공합니다.
IXYS Dx 시리즈 자동차용 실리콘 정류기
IXYS Dx 시리즈 자동차용 실리콘 정류기
04-14-2025
Features glass-passivated junctions, ensuring stable operation and high reliability.
IXYS DCK SiC 쇼트키 다이오드
IXYS DCK SiC 쇼트키 다이오드
04-03-2025
고주파 작동 및 높은 서지 전류 성능이 특징입니다.
IXYS MCMA140PD1800TB 사이리스터 다이오드 모듈
IXYS MCMA140PD1800TB 사이리스터 다이오드 모듈
03-25-2025
140A diode module, integrated with a planar passivated chip and offers long-term stability.
IXYS IXFP34N65X2W 전력 MOSFET
IXYS IXFP34N65X2W 전력 MOSFET
03-17-2025
650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
03-06-2025
Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
03-06-2025
TO263-7L 패키지로 제공되는 1200V, 30mΩ, 79A 사양의 산업용 싱글 스위치 MOSFET입니다.
IXYS IXFH46N65X2W 전력 MOSFET
IXYS IXFH46N65X2W 전력 MOSFET
02-27-2025
650V, 69mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.
IXYS IXFH34N65X2W 전력 MOSFET
IXYS IXFH34N65X2W 전력 MOSFET
02-27-2025
650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
02-18-2025
1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
02-18-2025
1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET
11-28-2024
200V의 정격 전압, 340A ~ 500A의 전류 범위, SOT-227B 패키지를 제공합니다.
IXYS DPF100C1200HB 1 200 V, 2x 50 A 고속 복구 다이오드
IXYS DPF100C1200HB 1 200 V, 2x 50 A 고속 복구 다이오드
11-22-2024
공통 음극 구성 및 TO-247 패키지로 제공되는 범용 전원 스위칭 다이오드 2개.
IXYS Gen5 XPT IGBT
IXYS Gen5 XPT IGBT
07-25-2024
Offers a rated voltage of 650V, a current range of 35A to 220A, and a low gate charge. 
IXYS DPF30U200FC 200V 30A 3-상 브리지 정류기
IXYS DPF30U200FC 200V 30A 3-상 브리지 정류기
07-22-2024
이 장치는 일반적으로 SMPS(스위치 모드 전원 공급 장치)의 정류기로 사용됩니다.
IXYS DSEP60-06AZ 600V 60A 고속 복구 다이오드
IXYS DSEP60-06AZ 600V 60A 고속 복구 다이오드
07-08-2024
TO-268AA(D3PAK-HV) 패키지로 제공되는 고성능, 저손실, 소프트 복구 단일 다이오드입니다.
IXYS SRU6008DS2RP 민감성 SCR
IXYS SRU6008DS2RP 민감성 SCR
02-19-2024
600 V 높은 순방향 차단 SCR, 고전압 커패시터 방전 애플리케이션에 이상적임.
IXYS MCMA140P1600TA-NI 사이리스터 모듈
IXYS MCMA140P1600TA-NI 사이리스터 모듈
01-18-2024
평면 부동태화 칩과 라인 주파수를 위한 직접 구리 결합 AI2O3-세라믹이 특징입니다.
IXYS MPA 95-06DA FRED 모듈
IXYS MPA 95-06DA FRED 모듈
01-18-2024
고주파 스위칭 장치를 위한 평면 부동태화 칩과 낮은 스위칭 손실이 특징입니다.
IXYS DMA80I1600HA 단일 다이오드 정류기
IXYS DMA80I1600HA 단일 다이오드 정류기
08-11-2022
평면 부동태화 칩, 낮은 누설 전류 및 낮은 순방향 전압 강하가 특징입니다.
IXYS STS802U2SRP 1.5A 민감한 이중 SCR
IXYS STS802U2SRP 1.5A 민감한 이중 SCR
08-10-2022
낮은 턴오프(tq) 시간과 최대 20A 서지 용량으로 높은 정적 dV/dt를 제공합니다.
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    Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS 다이오드
    Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS 다이오드
    05-04-2026
    전압 과도 현상으로부터 민감한 전자 장비를 보호하기 위해 특별히 설계되었습니다.
    Littelfuse TP5.0SMD-FLFlatSuppressX™TVS 다이오드
    Littelfuse TP5.0SMD-FLFlatSuppressX™TVS 다이오드
    05-04-2026
    10/1000µs 파형을 사용하는 5 000 W 피크 펄스 전력 기능 및 6.5 W전력 손실.
    Littelfuse AK-FL TVS 다이오드
    Littelfuse AK-FL TVS 다이오드
    05-04-2026
    축형 리드, FlatSuppressX™ 평면형 및 낮은 클램핑 양방향 TVS 다이오드.
    RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
    RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
    04-24-2026
    Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.
    Littelfuse QVx35xHx 고온 알터니스터 트라이액
    Littelfuse QVx35xHx 고온 알터니스터 트라이액
    04-24-2026
    35A 정격 전류를 제공하며, TO-220AB, TO-220 절연형, TO-263 패키지로 제공됩니다.
    Littelfuse SJx08x 고온 SCR
    Littelfuse SJx08x 고온 SCR
    04-24-2026
    최대 800V 전압, 최대 100A 서지 전류 처리 능력, 그리고 +150°C 온도 정격을 제공합니다.
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    04-16-2026
    Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
    onsemi NVBYST0D8N08X 단일 N-채널 전력 MOSFET
    onsemi NVBYST0D8N08X 단일 N-채널 전력 MOSFET
    04-14-2026
    고전압 작동에 최적화되어 있으며 빠른 스위칭과 고전류 스트레스를 견딜 수 있습니다.
    ROHM Semiconductor 고밀도 SiC 전력 모듈
    ROHM Semiconductor 고밀도 SiC 전력 모듈
    04-10-2026
    TRCDRIVE pack™, DOT-247 및 HSDIP20 패키지는 고성능 전력 변환(high-performance power conversion)에 기여합니다.
    Vishay RS07x 고속 복구 정류기
    Vishay RS07x 고속 복구 정류기
    04-07-2026
    최대 VRRM이 100 V ~ 800 V인 유리 패시베이션 표면 실장 정류기입니다.
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    04-07-2026
    Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
    Vishay S07x-M표준복구고압정류기
    Vishay S07x-M표준복구고압정류기
    04-07-2026
    최대 VRRM이 100 V ~ 1 000 V인 유리 패시베이션 표면 실장 정류기입니다.
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    04-06-2026
    고속 스위칭 애플리케이션을 위해 낮은 Rg로 설계된 이중 N-채널 MOSFET.
    Vishay VS-HOT200C080 200 A 80 V 전력 MOSFET 모듈
    Vishay VS-HOT200C080 200 A 80 V 전력 MOSFET 모듈
    04-02-2026
    이 장치는 표준 개별 소자 솔루션과 비교하여 회로 기판 공간 요구 사항을 최대 15%까지 줄여줍니다.
    Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
    Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
    04-02-2026
    High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
    Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
    Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
    04-02-2026
    AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
    Toshiba N 채널/P 채널 전력 MOSFET
    Toshiba N 채널/P 채널 전력 MOSFET
    03-31-2026
    고속 스위칭, 전원 관리 스위치, DC-DC 컨버터 및 모터 드라이버에 이상적입니다.    
    STMicroelectronics STL059N4S8AG 전력 MOSFET
    STMicroelectronics STL059N4S8AG 전력 MOSFET
    03-31-2026
    Smart STripFET F8 기술로 설계된 40V N-채널 증가 모드 전력 MOSFET입니다.
    Infineon Technologies ESD 보호용 다목적 다이오드
    Infineon Technologies ESD 보호용 다목적 다이오드
    03-27-2026
    작은 설치 공간에 최상의 보호 기능을 제공하는 이 다이오드는 우수한 ESD 성능을 제공합니다.
    Infineon Technologies N-채널 OptiMOS™ 7 25V 전력 MOSFET
    Infineon Technologies N-채널 OptiMOS™ 7 25V 전력 MOSFET
    03-27-2026
    애플리케이션에 최적화된 성능을 제공하여 데이터 센터, 서버 및 AI를 위한 피크 성능을 구현합니다.
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60 V 전력 MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60 V 전력 MOSFET
    03-27-2026
    강력한 전력 MOSFET 기술을 통해 OptiMOS 5보다 우수한 성능을 제공합니다. 
    iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    03-24-2026
    Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
    RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers
    RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers
    03-24-2026
    Compact and ideal for micro-power isolated power supply applications with limited space.
    Renesas Electronics TP65B110HRU 양방향 스위치(BDS)
    Renesas Electronics TP65B110HRU 양방향 스위치(BDS)
    03-20-2026
    650 V및 110mΩ일반적으로 꺼짐질화갈륨(GaN) BDS는 컴팩트한 TOLT패키지에 있음.
    Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS
    Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS
    03-18-2026
    TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.
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