이산 반도체의 유형
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02-03-2026
02-03-2026
Designed for demanding power conversion applications
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
02-03-2026
02-03-2026
Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02-03-2026
02-03-2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
Vishay VS-E7JX0x12-M3/HM3 Gen7 FRED Pt® 정류기
06-03-2025
06-03-2025
SlimSMA HV(DO-1A221AC) 패키지로 제공되는 1,200V, 1A 또는 2A 초고속 정류기입니다.
Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge Rectifier
05-20-2025
05-20-2025
Offers low forward voltage drop & noise with high surge current in a thin single-in-line package.
Vishay SxBx Surface-Mount Glass Passivated Rectifiers
04-03-2025
04-03-2025
Offers current ratings from 1.0A to 5.0A and peak reverse voltages ranging from 400V to 1000V.
Vishay VS-EBU15006HN4 초고속 소프트 복구 다이오드
03-25-2025
03-25-2025
150A 다이오드는 고주파 전력 컨디셔닝 시스템에서 손실과 EMI/RFI를 줄이는 데 최적화되어 있습니다.
Vishay SiJK5100E N채널 MOSFET
11-11-2024
11-11-2024
100 V 드레인-소스 전압 및 536 W 최대 전력 손실을 제공하는 TrenchFET® Gen V 전력 MOSFET.
Vishay SiEH4800EW 80 V TrenchFET® Gen IV N- 채널 MOSFET
10-25-2024
10-25-2024
0.00115Ω의 온 상태 저항을 제공하는 PowerPAK® 8mmx8mm BWL 패키지로 제공됩니다.
Vishay MXP120A MaxSiC™1,200V N 채널 MOSFET
08-26-2024
08-26-2024
고속 스위칭 속도, 3μs의 단락 내성 시간, 139W의 최대 전력 손실을 제공합니다.
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Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02-03-2026
02-03-2026
Designed for demanding power conversion applications
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
02-03-2026
02-03-2026
Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02-03-2026
02-03-2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
02-03-2026
02-03-2026
Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02-02-2026
02-02-2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
Qorvo QPD1014A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
01-20-2026
01-20-2026
30MHz~1.2GHz에서 작동하는 15W(P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.
Qorvo QPD1004A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
01-19-2026
01-19-2026
SiC HEMT 사이드 25W, 50Ω 입력 정합 이산 질화갈륨은 50V 전원 레일에서 30MHz~1,400MHz 범위에서 작동합니다.
Qorvo QPD1011A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
01-19-2026
01-19-2026
30MHz~1.2GHz에서 작동하는 7W (P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.
Littelfuse SM15KPA-HRA 및 SM30KPA-HRA 고신뢰성 다이오드
01-13-2026
01-13-2026
항전, 항공 및 eVTOL 애플리케이션에서 I/O 인터페이스, VCC 버스 및 기타 회로를 보호합니다.
onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET
12-26-2025
12-26-2025
이 장치는 TCPAK1012(TopCool) 패키지에 낮은 QRR 및 소프트 복구 보디 다이오드를 제공합니다.
Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET
12-19-2025
12-19-2025
전기차(EV) 애플리케이션의 까다로운 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다.
STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN 트랜지스터
12-04-2025
12-04-2025
고효율 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계된 E-Mode PowerGaN 트랜지스터입니다.
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 이산 트랜지스터
12-01-2025
12-01-2025
DTO247 패키지는 병렬로 연결된 여러 저전류 TO247 패키지 트랜지스터를 대체합니다.
onsemi NTTFS007P02P8 P 채널 저전압/중전압 MOSFET
11-25-2025
11-25-2025
극히 낮은 RDS (on) 스위칭 성능과 견고성을 위해 파워트렌치 기술을 사용하여 제작됩니다.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11-24-2025
11-24-2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
11-24-2025
11-24-2025
Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
Central Semiconductor 1,700V N 채널 SiC(탄화 규소) MOSFET
11-20-2025
11-20-2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
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