이산 반도체의 유형
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IXYS X4-Class Power MOSFETs
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02-02-2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
IXYS DP 고전압, 고속 복구 다이오드
IXYS DP 고전압, 고속 복구 다이오드
01-20-2026
역 누설 전류가 낮고 복구 시간이 빠른 600 V 또는 1 200 V 쇼트 키 다이오드입니다.
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 전력 MOSFET
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 전력 MOSFET
10-08-2025
Ceramic-based isolated package improves overall Rth(j-s) and power handling capability.
IXYS IXSxNxL2Kx 실리콘 카바이드 (SiC) MOSFET
IXYS IXSxNxL2Kx 실리콘 카바이드 (SiC) MOSFET
09-19-2025
이 장치는 낮은 온 상태 저항 [RDS (on)]과 함께 높은 차단 전압을 제공합니다.
IXYS IXSJxN120R1K 1 200 V SiC 전력 MOSFET
IXYS IXSJxN120R1K 1 200 V SiC 전력 MOSFET
08-27-2025
18 mΩ 또는 36 mΩ의 낮은 RDS (on)으로 최대 1 200 V 차단 전압을 제공합니다.
IXYS Dx 시리즈 자동차용 실리콘 정류기
IXYS Dx 시리즈 자동차용 실리콘 정류기
04-14-2025
Features glass-passivated junctions, ensuring stable operation and high reliability.
IXYS DCK SiC 쇼트키 다이오드
IXYS DCK SiC 쇼트키 다이오드
04-03-2025
고주파 작동 및 높은 서지 전류 성능이 특징입니다.
IXYS MCMA140PD1800TB 사이리스터 다이오드 모듈
IXYS MCMA140PD1800TB 사이리스터 다이오드 모듈
03-25-2025
140A diode module, integrated with a planar passivated chip and offers long-term stability.
IXYS IXFP34N65X2W 전력 MOSFET
IXYS IXFP34N65X2W 전력 MOSFET
03-17-2025
650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
03-06-2025
Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
03-06-2025
Single-switch MOSFET that features 1200V, 30mΩ, 79A industrial-grade device in a TO263-7L package.
IXYS IXFH34N65X2W 전력 MOSFET
IXYS IXFH34N65X2W 전력 MOSFET
02-27-2025
650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.
IXYS IXFH46N65X2W 전력 MOSFET
IXYS IXFH46N65X2W 전력 MOSFET
02-27-2025
650V, 69mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
02-18-2025
1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
02-18-2025
1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET
11-28-2024
200V의 정격 전압, 340A ~ 500A의 전류 범위, SOT-227B 패키지를 제공합니다.
IXYS DPF100C1200HB 1 200 V, 2x 50 A 고속 복구 다이오드
IXYS DPF100C1200HB 1 200 V, 2x 50 A 고속 복구 다이오드
11-22-2024
공통 음극 구성 및 TO-247 패키지로 제공되는 범용 전원 스위칭 다이오드 2개.
IXYS Gen5 XPT IGBT
IXYS Gen5 XPT IGBT
07-25-2024
Offers a rated voltage of 650V, a current range of 35A to 220A, and a low gate charge. 
IXYS DPF30U200FC 200V 30A 3-상 브리지 정류기
IXYS DPF30U200FC 200V 30A 3-상 브리지 정류기
07-22-2024
이 장치는 일반적으로 SMPS(스위치 모드 전원 공급 장치)의 정류기로 사용됩니다.
IXYS DSEP60-06AZ 600V 60A 고속 복구 다이오드
IXYS DSEP60-06AZ 600V 60A 고속 복구 다이오드
07-08-2024
TO-268AA(D3PAK-HV) 패키지로 제공되는 고성능, 저손실, 소프트 복구 단일 다이오드입니다.
IXYS SRU6008DS2RP 민감성 SCR
IXYS SRU6008DS2RP 민감성 SCR
02-19-2024
600 V 높은 순방향 차단 SCR, 고전압 커패시터 방전 애플리케이션에 이상적임.
IXYS MPA 95-06DA FRED 모듈
IXYS MPA 95-06DA FRED 모듈
01-18-2024
고주파 스위칭 장치를 위한 평면 부동태화 칩과 낮은 스위칭 손실이 특징입니다.
IXYS MCMA140P1600TA-NI 사이리스터 모듈
IXYS MCMA140P1600TA-NI 사이리스터 모듈
01-18-2024
평면 부동태화 칩과 라인 주파수를 위한 직접 구리 결합 AI2O3-세라믹이 특징입니다.
IXYS DMA80I1600HA 단일 다이오드 정류기
IXYS DMA80I1600HA 단일 다이오드 정류기
08-11-2022
평면 부동태화 칩, 낮은 누설 전류 및 낮은 순방향 전압 강하가 특징입니다.
IXYS STP802U2SRP 1.5A 민감한 이중 SCR
IXYS STP802U2SRP 1.5A 민감한 이중 SCR
08-10-2022
낮은 턴오프(tq) 시간과 1.5ARMS 온 상태 전류로 높은 정적 dV/dt를 제공합니다.
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    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    02-03-2026
    Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02-03-2026
    Designed for demanding power conversion applications
    Vishay 고전력 탄화 규소 쇼트키 다이오드
    Vishay 고전력 탄화 규소 쇼트키 다이오드
    02-03-2026
    까다로운 전력 전자 애플리케이션에서 탁월한효율성, 견고성 및 신뢰성을 제공합니다.
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02-03-2026
    Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    02-03-2026
    Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    02-02-2026
    Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
    Qorvo QPD1014A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    Qorvo QPD1014A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    01-20-2026
    30MHz~1.2GHz에서 작동하는 15W(P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.
    IXYS DP 고전압, 고속 복구 다이오드
    IXYS DP 고전압, 고속 복구 다이오드
    01-20-2026
    역 누설 전류가 낮고 복구 시간이 빠른 600 V 또는 1 200 V 쇼트 키 다이오드입니다.
    Qorvo QPD1004A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    Qorvo QPD1004A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    01-19-2026
    SiC HEMT 사이드 25W, 50Ω 입력 정합 이산 질화갈륨은 50V 전원 레일에서 30MHz~1,400MHz 범위에서 작동합니다.
    Qorvo QPD1011A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    Qorvo QPD1011A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    01-19-2026
    30MHz~1.2GHz에서 작동하는 7W (P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.
    Littelfuse SM15KPA-HRA 및 SM30KPA-HRA 고신뢰성 다이오드
    Littelfuse SM15KPA-HRA 및 SM30KPA-HRA 고신뢰성 다이오드
    01-13-2026
    항전, 항공 및 eVTOL 애플리케이션에서 I/O 인터페이스, VCC 버스 및 기타 회로를 보호합니다.
    Littelfuse SP432x-01WTG TVS 다이오드
    Littelfuse SP432x-01WTG TVS 다이오드
    01-08-2026
    초저 정전 용량, 양방향 작동 및 높은 수준의 보호 기능 제공.
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET
    12-26-2025
    이 장치는 TCPAK1012(TopCool) 패키지에 낮은 QRR 및 소프트 복구 보디 다이오드를 제공합니다.
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V 전력 MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V 전력 MOSFET
    12-23-2025
    폭넓은 포트폴리오 제공으로 업계 벤치마크 성능을 설정합니다.
    Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET
    12-19-2025
    전기차(EV) 애플리케이션의 까다로운 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다.
    onsemi NVMFD5877NL 듀얼 N채널 MOSFET
    onsemi NVMFD5877NL 듀얼 N채널 MOSFET
    12-19-2025
    높은 열 성능을 포함하여 컴팩트하고 효율적인 설계를 위해 설계되었습니다.
    STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN 트랜지스터
    STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN 트랜지스터
    12-04-2025
    고효율 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계된 E-Mode PowerGaN 트랜지스터입니다.
    onsemi NxT2023N065M3SEliteSiC MOSFET
    onsemi NxT2023N065M3SEliteSiC MOSFET
    12-04-2025
    낮은 유효 출력 정전용량과 초저 게이트 전하가 특징입니다.
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 이산 트랜지스터
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 이산 트랜지스터
    12-01-2025
    DTO247 패키지는 병렬로 연결된 여러 저전류 TO247 패키지 트랜지스터를 대체합니다.
    onsemi FDC642P-F085 소신호 MOSFET
    onsemi FDC642P-F085 소신호 MOSFET
    11-25-2025
    매우 낮은 RDS (on) 및 빠른 스위칭 속도를 위한 고성능 트렌치 기술을 제공합니다.
    onsemi NTTFS007P02P8 P 채널 저전압/중전압 MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 P 채널 저전압/중전압 MOSFET
    11-25-2025
    극히 낮은 RDS (on) 스위칭 성능과 견고성을 위해 파워트렌치 기술을 사용하여 제작됩니다.
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    11-24-2025
    Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11-24-2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
    Bourns SMLJ-R 과도 전압 억제 다이오드
    Bourns SMLJ-R 과도 전압 억제 다이오드
    11-24-2025
    서지 및 ESD 보호를 위해 설계되었으며 소형 칩 패키지 DO-214AB(SMC) 크기 형식으로 제공됩니다.
    Diotec Semiconductor BZT52C39-AQ SMD Planar Zener Diode
    Diotec Semiconductor BZT52C39-AQ SMD Planar Zener Diode
    11-20-2025
    Provides accurate voltage regulation with low leakage current and is AEC-Q101 qualified.
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