이산 반도체의 유형
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Nexperia BUK7Q N-채널 MOSFET (MLPAK33-WF 패키지)
Nexperia BUK7Q N-채널 MOSFET (MLPAK33-WF 패키지)
09-29-2025
Trench 9 기술 사용, AEC-Q101 요구 사항 충족.
Nexperia BUK9Q N-채널 트렌치 MOSFET
Nexperia BUK9Q N-채널 트렌치 MOSFET
09-09-2025
로직 레벨 호환, 빠른 전환, 완전한 오토모티브 인증(AEC-Q101 175°C)을 받았습니다.
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
08-27-2025
트렌치 MOSFET 기술을 사용한 MLPAK33(SOT8002-3) SMD 플라스틱 패키지의 P채널 FET.
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
08-27-2025
트렌치 MOSFET 기술을 사용한 MLPAK33(SOT8002-3) SMD 플라스틱 패키지의 P채널 FET.
Nexperia MJPEx 양극성 접합 트랜지스터 (BJT)
Nexperia MJPEx 양극성 접합 트랜지스터 (BJT)
08-26-2025
CFP15B 패키지는 DPAK 패키지의 MJD 시리즈에 대한 컴팩트하고 & 비용 효율적인 대안을 제공합니다.
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
08-19-2025
트렌치 MOSFET 기술을 적용한 MLPAK33(SOT8002-3) SMD 플라스틱 패키지에 탑재된 30V P채널 FET.
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
08-19-2025
트렌치 MOSFET 기술을 사용하는 MLPAK33 (SOT8002-3) SMD 플라스틱 패키지의 P채널 FET.
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
08-19-2025
트렌치 MOSFET 기술을 사용한 MLPAK33(SOT8002-3) SMD 플라스틱 패키지의 P채널 FET.
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN(질화갈륨) FET
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN(질화갈륨) FET
07-03-2025
뛰어난 성능과 매우 낮은 온 상태 저항을 제공하는 상시 오프 e-모드 장치.
Nexperia GANB1R2-040QBA & GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA & GANB012-040CBA GaN HEMT
07-03-2025
40V, 1.2mΩ 또는 12mΩ 양방향 질화 갈륨(GaN) 고전자 이동성 트랜지스터(HEMT).
Nexperia ES1D 초고속 복구 정류기
Nexperia ES1D 초고속 복구 정류기
05-07-2025
200V, 1A 정류기, 높은 순방향 서지 능력, SOD1001-1 SMA 패키지에 캡슐화됨.
Nexperia ES3D 초고속 복구 정류기
Nexperia ES3D 초고속 복구 정류기
05-07-2025
200V, 3A 정류기, 높은 순방향 서지 능력, SOD1003-1 SMC 패키지에 캡슐화됨.
Nexperia ES2D 초고속 복구 정류기
Nexperia ES2D 초고속 복구 정류기
05-07-2025
200V, 2A 정류기, 높은 순방향 서지 능력, SOD1002-1 SMB 패키지에 캡슐화됨.
Nexperia ES1B 초고속 복구 정류기
Nexperia ES1B 초고속 복구 정류기
05-02-2025
100V, 1A 정류기, 높은 순방향 서지 능력, SOD1001-1 SMA 패키지에 캡슐화됨.
Nexperia ES1J 초고속 복구 정류기
Nexperia ES1J 초고속 복구 정류기
05-02-2025
600V, 1A 정류기, 높은 순방향 서지 능력, SOD1001-1 SMA 패키지에 캡슐화됨.
Nexperia GS8M 복구 정류기
Nexperia GS8M 복구 정류기
04-28-2025
1,000V, 8A 정류기, 높은 순방향 서지 능력, SOD1003-1 SMC 패키지에 캡슐화됨.
Nexperia MURS160B 초고속 복구 정류기
Nexperia MURS160B 초고속 복구 정류기
04-28-2025
SOD1002-1 SMB 패키지로 캡슐화된, 높은 순방형 서지 능력을 갖춘 600V, 1A 정류기.
Nexperia US3M 초고속 복구 정류기
Nexperia US3M 초고속 복구 정류기
04-28-2025
높은 순방향 서지 능력을 갖추고 SOD1003-1 SMC 패키지로 캡슐화되어 있는 1,000V, 3A 정류기
Nexperia FR2JA 고속 복구 정류기
Nexperia FR2JA 고속 복구 정류기
04-28-2025
600V, 2A 정류기, 높은 순방향 서지 능력, SOD1001-1 SMA 패키지에 캡슐화됨.
Nexperia GS10M 복구 정류기
Nexperia GS10M 복구 정류기
04-28-2025
높은 순방향 서지 능력을 갖추고 SOD1003-1 SMC 패키지로 캡슐화 되어있는 1,000V, 10A 정류기
Nexperia US1M 초고속 복구 정류기
Nexperia US1M 초고속 복구 정류기
04-28-2025
높은 순방향 서지 내성을 갖추고 SOD1001-1 SMA 패키지에 캡슐화된 1,000V 1A 정류기
Nexperia GS5MB 복구 정류기
Nexperia GS5MB 복구 정류기
04-28-2025
높은 순방향 서지 내성을 갖추고 SOD1002-1 SMB 패키지로 캡슐화 되어있는 1,000V, 5V 정류기
Nexperia GS1M 복구 정류기
Nexperia GS1M 복구 정류기
04-28-2025
높은 순방향 서지 내성을 갖추고 SOD1001-1 SMA 패키지에 캡슐화된 1,000V 1A 정류기
Nexperia MURS160A 초고속 복구 정류기
Nexperia MURS160A 초고속 복구 정류기
04-28-2025
높은 순방향 서지 능력을 갖추고 SOD1001-1 SMA 패키지로 캡슐화되어 있는 600V, 1A 정류기.
Nexperia FR2M 고속 복구 정류기
Nexperia FR2M 고속 복구 정류기
04-28-2025
높은 순방향 서지 기능과 SOD1002-1 SMB 패키지로 캡슐화된 1,000V, 2A 정류기
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    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
    02-05-2026
    High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02-03-2026
    Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
    Vishay 고전력 탄화 규소 쇼트키 다이오드
    Vishay 고전력 탄화 규소 쇼트키 다이오드
    02-03-2026
    까다로운 전력 전자 애플리케이션에서 탁월한효율성, 견고성 및 신뢰성을 제공합니다.
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    02-03-2026
    Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    02-03-2026
    Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02-03-2026
    Designed for demanding power conversion applications
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    02-02-2026
    Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
    Qorvo QPD1014A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    Qorvo QPD1014A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    01-20-2026
    30MHz~1.2GHz에서 작동하는 15W(P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.
    IXYS DP 고전압, 고속 복구 다이오드
    IXYS DP 고전압, 고속 복구 다이오드
    01-20-2026
    역 누설 전류가 낮고 복구 시간이 빠른 600 V 또는 1 200 V 쇼트 키 다이오드입니다.
    Qorvo QPD1011A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    Qorvo QPD1011A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    01-19-2026
    30MHz~1.2GHz에서 작동하는 7W (P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.
    Qorvo QPD1004A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    Qorvo QPD1004A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    01-19-2026
    SiC HEMT 사이드 25W, 50Ω 입력 정합 이산 질화갈륨은 50V 전원 레일에서 30MHz~1,400MHz 범위에서 작동합니다.
    Littelfuse SM15KPA-HRA 및 SM30KPA-HRA 고신뢰성 다이오드
    Littelfuse SM15KPA-HRA 및 SM30KPA-HRA 고신뢰성 다이오드
    01-13-2026
    항전, 항공 및 eVTOL 애플리케이션에서 I/O 인터페이스, VCC 버스 및 기타 회로를 보호합니다.
    Littelfuse SP432x-01WTG TVS 다이오드
    Littelfuse SP432x-01WTG TVS 다이오드
    01-08-2026
    초저 정전 용량, 양방향 작동 및 높은 수준의 보호 기능 제공.
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET
    12-26-2025
    이 장치는 TCPAK1012(TopCool) 패키지에 낮은 QRR 및 소프트 복구 보디 다이오드를 제공합니다.
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V 전력 MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V 전력 MOSFET
    12-23-2025
    폭넓은 포트폴리오 제공으로 업계 벤치마크 성능을 설정합니다.
    Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET
    12-19-2025
    전기차(EV) 애플리케이션의 까다로운 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다.
    onsemi NVMFD5877NL 듀얼 N채널 MOSFET
    onsemi NVMFD5877NL 듀얼 N채널 MOSFET
    12-19-2025
    높은 열 성능을 포함하여 컴팩트하고 효율적인 설계를 위해 설계되었습니다.
    onsemi NxT2023N065M3SEliteSiC MOSFET
    onsemi NxT2023N065M3SEliteSiC MOSFET
    12-04-2025
    낮은 유효 출력 정전용량과 초저 게이트 전하가 특징입니다.
    STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN 트랜지스터
    STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN 트랜지스터
    12-04-2025
    고효율 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계된 E-Mode PowerGaN 트랜지스터입니다.
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 이산 트랜지스터
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 이산 트랜지스터
    12-01-2025
    DTO247 패키지는 병렬로 연결된 여러 저전류 TO247 패키지 트랜지스터를 대체합니다.
    onsemi FDC642P-F085 소신호 MOSFET
    onsemi FDC642P-F085 소신호 MOSFET
    11-25-2025
    매우 낮은 RDS (on) 및 빠른 스위칭 속도를 위한 고성능 트렌치 기술을 제공합니다.
    onsemi NTTFS007P02P8 P 채널 저전압/중전압 MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 P 채널 저전압/중전압 MOSFET
    11-25-2025
    극히 낮은 RDS (on) 스위칭 성능과 견고성을 위해 파워트렌치 기술을 사용하여 제작됩니다.
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    11-24-2025
    Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11-24-2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
    Bourns SMLJ-R 과도 전압 억제 다이오드
    Bourns SMLJ-R 과도 전압 억제 다이오드
    11-24-2025
    서지 및 ESD 보호를 위해 설계되었으며 소형 칩 패키지 DO-214AB(SMC) 크기 형식으로 제공됩니다.
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