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이산 반도체의 유형

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적용된 필터:

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Taiwan Semiconductor Schottky Barrier Rectifiers

08-11-2025

- These devices have a low power loss and are highly efficient.

Taiwan Semiconductor PLDS30J & PLDS30JH Rectifiers

08-05-2025

- 30A, 600V rectifiers with low VF drop and high surge current capability, in a D2PAK-D package.

Taiwan Semiconductor PLDS20J & PLDS20JH Rectifiers

08-05-2025

- 20A, 600V rectifiers with low VF drop and high surge current capability, in a D2PAK-D package.

Taiwan Semiconductor PLAD10J & PLAD10JH Rectifiers

08-05-2025

- 10A, 600V standard rectifiers with low power loss and high efficiency, in a ThinDPAK package.

Taiwan Semiconductor TESDA6V0U40P1Q0 ESD Protection Diode

07-22-2025

- AEC-Q101 qualified, unidirectional ESD protection diode to protect sensitive electronic components.

Taiwan Semiconductor BC807-25H & BC807-40H PNP Transistors

07-10-2025

- 300mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor BC85xBWH & BC857WH PNP Transistors

07-10-2025

- 200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor HS1Y 1A/1600V High Efficiency SMD Rectifiers

07-10-2025

- High-efficiency rectifiers designed for general-purpose and power supply applications.

Taiwan Semiconductor BC846BWH & BC847B/CWH NPN Transistors

07-10-2025

- 200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor BC846BH & BC847B/CH NPN Transistors

07-10-2025

- 200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor BZT52 Surface Mount Zener Diodes

06-03-2025

- AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.

Taiwan Semiconductor MMSZ52 Surface Mount Zener Diodes

06-03-2025

- AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.

Taiwan Semiconductor BZX84 Surface Mount Zener Diodes

06-03-2025

- AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.

Taiwan Semiconductor BZX58 Surface Mount Zener Diodes

06-03-2025

- AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.

Taiwan Semiconductor 1N4148 Switching Diodes

03-20-2025

- Feature fast switching speed, high surge current capability, and high efficiency.

Taiwan Semiconductor BAW Switching Diodes

03-20-2025

- Ideal for Switching Mode Power Supplies (SMPS) and high-speed switching applications.

Taiwan Semiconductor SD103 Schottky Barrier Diodes

03-20-2025

- Feature low forward voltage, 150mA forward current, and low power loss.

Taiwan Semiconductor BAT Schottky Barrier Diodes

03-20-2025

- Offer low forward voltage and are ideal for reverse polarity protection applications.

Taiwan Semiconductor BAV Switching Diodes

03-20-2025

- Feature fast switching speed, low leakage current, and low power loss.

Taiwan Semiconductor BAS Switching Diodes

03-20-2025

- Ideal for Switching Mode Power Supplies (SMPS), adapters, and high-speed switching applications.

Taiwan Semiconductor TLDxxAH 과도 전압 억제기(TVS) 다이오드

03-17-2025

- 26V~82V, AEC-Q101 인증, 단방향 표면 실장 TVS 다이오드.

Taiwan Semiconductor PSAD Super Fast Surface Mount Rectifiers

01-30-2025

- Feature low power loss and high efficiency and are designed for automated placement.

Taiwan Semiconductor PHAD High Efficient Surface Mount Rectifiers

01-30-2025

- Feature low power loss and high efficiency and are designed for automated placement.

Taiwan Semiconductor PLDS3060H/PLDS3080H Rectifiers

11-28-2024

- AEC-Q101 qualified 30A, 600V to 800V surface mount rectifiers with high surge current capability.

Taiwan Semiconductor HS1Qx 1200V High-Efficiency Rectifiers

11-28-2024

- Surface mount rectifiers that feature 75ns, 1A forward current, low power loss, and high efficiency.

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필터링 기준:

Littelfuse CMA160E1600HF 단일 사이리스터

02-06-2026

- 고성능160A, 1600V은 PLUS247 패키지에 평면 패시베이션 칩 구조가 특징입니다.

TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02-05-2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02-03-2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay 고전력 탄화 규소 쇼트키 다이오드

02-03-2026

- 까다로운 전력 전자 애플리케이션에서 탁월한효율성, 견고성 및 신뢰성을 제공합니다.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02-03-2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02-03-2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02-03-2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02-02-2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo QPD1014A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터

01-20-2026

- 30MHz~1.2GHz에서 작동하는 15W(P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.

IXYS DP 고전압, 고속 복구 다이오드

01-20-2026

- 역 누설 전류가 낮고 복구 시간이 빠른 600 V 또는 1 200 V 쇼트 키 다이오드입니다.

Qorvo QPD1004A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터

01-19-2026

- SiC HEMT 사이드 25W, 50Ω 입력 정합 이산 질화갈륨은 50V 전원 레일에서 30MHz~1,400MHz 범위에서 작동합니다.

Qorvo QPD1011A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터

01-19-2026

- 30MHz~1.2GHz에서 작동하는 7W (P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.

Littelfuse SM15KPA-HRA 및 SM30KPA-HRA 고신뢰성 다이오드

01-13-2026

- 항전, 항공 및 eVTOL 애플리케이션에서 I/O 인터페이스, VCC 버스 및 기타 회로를 보호합니다.

Littelfuse SP432x-01WTG TVS 다이오드

01-08-2026

- 초저 정전 용량, 양방향 작동 및 높은 수준의 보호 기능 제공.

onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET

12-26-2025

- 이 장치는 TCPAK1012(TopCool) 패키지에 낮은 QRR 및 소프트 복구 보디 다이오드를 제공합니다.

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V 전력 MOSFET

12-23-2025

- 폭넓은 포트폴리오 제공으로 업계 벤치마크 성능을 설정합니다.

Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET

12-19-2025

- 전기차(EV) 애플리케이션의 까다로운 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다.

onsemi NVMFD5877NL 듀얼 N채널 MOSFET

12-19-2025

- 높은 열 성능을 포함하여 컴팩트하고 효율적인 설계를 위해 설계되었습니다.

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN 트랜지스터

12-04-2025

- 고효율 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계된 E-Mode PowerGaN 트랜지스터입니다.

onsemi NxT2023N065M3SEliteSiC MOSFET

12-04-2025

- 낮은 유효 출력 정전용량과 초저 게이트 전하가 특징입니다.

Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 이산 트랜지스터

12-01-2025

- DTO247 패키지는 병렬로 연결된 여러 저전류 TO247 패키지 트랜지스터를 대체합니다.

onsemi FDC642P-F085 소신호 MOSFET

11-25-2025

- 매우 낮은 RDS (on) 및 빠른 스위칭 속도를 위한 고성능 트렌치 기술을 제공합니다.

onsemi NTTFS007P02P8 P 채널 저전압/중전압 MOSFET

11-25-2025

- 극히 낮은 RDS (on) 스위칭 성능과 견고성을 위해 파워트렌치 기술을 사용하여 제작됩니다.

Bourns SMLJ-R 과도 전압 억제 다이오드

11-24-2025

- 서지 및 ESD 보호를 위해 설계되었으며 소형 칩 패키지 DO-214AB(SMC) 크기 형식으로 제공됩니다.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11-24-2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

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